3月2日，瑞典SweGaN，一家为电信、卫星、国防和电力电子应用制造定制的碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 外延晶圆（基于独特的生长技术）的公司，宣布将在在瑞典林雪平（Linköping）建立一个新总部，包括一个大容量半导体生产设施。
新设施将建在创新材料竞技场 (Innovative Materials Arena，IMA)，位于东约特兰省林雪平的创新材料集群——该地区以其先进的材料工业而闻名。
该项目计划于 2023 年第二季度末完成，部署制造工艺以大批量生产 GaN-on-SiC 工程外延片，以实现规模经济。该设施的设计产能高达每年 40,000 个 100 毫米/150 毫米外延片。
这一重大的扩展计划得到了 2022 年 9 月宣布的 A 轮融资的支持，并且与全球对 5G 基站、国防雷达、低轨道卫星通信和电动汽车 (EV) 电源开关中使用的 GaN-on-SiC 外延片加速增长的需求密切相关。
首席运营官 Henrik Tölander 表示："新的 SweGaN 总部和生产设施提供了巨大的灵活性和手段，以支持公司在其增长过程中的扩张——包括产能和空间。"
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：SweGaN 将建造GaN-on-SiC 外延片生产设施
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