三星电子在韩国器兴的新半导体研发中心破土动工

8月19日，三星电子在韩国器兴的新半导体研发中心破土动工，旨在扩大其在最先进半导体技术方面的领导地位。

 

 

三星电子计划到 2028 年在其器兴园区内占地约 109,000 平方米的区域内投资约 20 万亿韩元。新设施将引领内存和系统半导体的下一代设备和工艺的先进研究，以及基于长期路线图的创新新技术的开发。

 

随着新研发设施的建立，三星电子正在寻求克服半导体规模的限制并巩固其在半导体技术方面的竞争优势。

 

三星电子的器兴园区位于首尔南部，靠近 DS 事业部的华城园区，是 1992 年世界上第一个 64Mb DRAM 的诞生地，标志着该公司半导体领导地位的开始。

 

新的器兴研发设施与华城研发线和世界上最大的半导体生产基地平泽一起，也有望提升三星在大都市区的三个主要半导体综合体之间的协同作用。

原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：三星电子在韩国器兴的新半导体研发中心破土动工