据日本媒体报道,Novel Crystal Technology计划投资约为20亿日元,向其公司工厂添加设备,到 2025 年,建成年产 20,000 片 100mm(4 英寸)氧化镓 (Ga2O3) 晶圆生产线。
 
Novel Crystal Technology计划至2026年4英寸氧化镓晶圆产能达2万片
 
除了制造和加工氧化镓单晶基板的设备和检查设备外,Novel Crystal Technology还将引进用于在晶圆上外延生长氧化镓的成膜设备,并计划开发一种可以同时沉积多个晶圆的新设备。
 
与由硅制成的传统半导体相比,氧化镓半导体可以实现器件的功耗降低和高耐压。其特点是能够通过熔融法生长块状单晶并有效地制造晶体基板。与正在投入实际应用的碳化硅(SiC)等下一代材料相比,晶体生长速度快了约100倍,基板更容易制造,从而显着降低了成本。
 

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):Novel Crystal Technology计划至2026年4英寸氧化镓晶圆产能达2万片

作者 li, meiyong