特斯拉在2018年的Model 3 电驱主逆变器上，率先采用了意法半导体供应的650V SiC MOSFET器件，被视为碳化硅上车的风向标事件。
碳化硅SiC作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。
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碳化硅SiC是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。
第一代半导体主要有硅和锗，广泛应用于集成电路等低压、低频、低功率场景;第二代半导体材料主要以砷化镓为代表，是制作半导体发光二极管和通信器件的核心材料。
第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表，与前两代半导体材料相比最大的优势是较宽的禁带宽度，保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G 基站、卫星等新兴领域的理想材料。
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碳化硅的禁带宽度大约为 3.2eV，硅的宽带宽度为 1.12eV，碳化硅的禁带宽度大约为硅的3倍数，这说明碳化硅的耐高压性能显著好于硅材料。此外，导热率为硅的4-5倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍。这些特性将使得碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的器件。
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在 SiC 器件的产业链中，主要价值量集中于上游碳化硅衬底，约占比 50%左右。碳化硅衬底根据电阻率划分：半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底。半绝缘型碳化硅衬底主要用于制造氮化镓微波射频器件，导电型碳化硅衬底广泛应用于新能源汽车、光伏、智能电网、轨道交通等领域。
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当前，电动汽车是拉动碳化硅持续火热的主要原因。至2018年，特斯拉采用SiC MOSFET器件之后，碳化硅器件上车便一发不可收拾，上升数量迅速攀升。碳化硅模块的使用使得整车的能耗更低、尺寸更小、行驶里程更长，受到消费市场的认可，一定程度上缓解里程焦虑问题。此外，随着碳化硅功率器件的生产成本降低，碳化硅在充电桩领域的应用也将逐步深入。
据市调机构Yole的报告指出，碳化硅晶圆到2023年时市场规模可达15亿美金，年复合成长率逾31%;预计至2025年全球SiC功率器件市场规模为25.6亿美元，2019-2025年CAGR为30%。
原文始发于微信公众号（艾邦陶瓷展）：特斯拉率先尝到甜头的碳化硅为什么这么火
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