
前言
在 1.6T 光模块、SiC 主驱和 AI 算力集群的共同约束里,散热已经从“设计余量”变成了“设计前提”。氮化铝的理论热导率上限是319 W/(m·K),而国产产品长期停留在 170~180W/(m·K)。近日,博睿光电突破240 W/(m·K) 氮化铝 (AlN) 基板量产技术,为推进我国下游相关产业提供材料底座。
过去十年,封装工程师优化的是尺寸、成本和良率。现在越来越多的设计,是从“这些热量怎么出去”开始倒推的。
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高速光通讯:速率从 400G 走向 800G / 1.6T,单模块功耗几乎同步抬升。激光器波长随温度漂移(DFB 典型约 0.1 nm/℃),温度每上一个台阶,链路预算就被吃掉一截。
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功率半导体:SiC 把开关频率和功率密度一起推高,结温成为寿命的指数项——按 Arrhenius 经验,结温每升高 10 ℃,器件寿命大致减半。
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商业航天与射频:真空环境没有空气对流,热量只能沿传导路径离开,基板几乎是唯一出口。

三条路径最终交汇在同一个环节:芯片 → 基板 → 散热器。而基板是其中唯一既要电绝缘、又要导热的构件,它的热导率,直接决定了后面所有散热设计的起点。
常见陶瓷基板里,氧化铝(Al2O3)成熟、便宜,但热导率只有 20~24 W/(m·K),热膨胀系数约 7.4 ppm/K,与硅(2.6)和碳化硅(4.0)都差得远——在大功率、高率时,界面应力和温升会导致器件失效概率大幅增加。
氮化铝(AlN)几乎是唯一能同时成立三件事的陶瓷:热导率高、热膨胀系数 4.5 ppm/K 贴近 SiC 与 Si、体积电阻率高而介电损耗低。这也是为什么在高功率、高频率封装里,AlN 一直是“贵,但绕不开”的那块材料。
但 319 W/(m·K) 只是理论值。但实际热导率的提升面临三大技术挑战:晶格氧(氧占据氮位形成铝空位,强烈散射声子)、晶界第二相(烧结助剂残留)、残余气孔。
博睿光电在Hot Disk TPS 2500S对比测试了日本同类250W/mK级产品(具体测试条件:温度 23±1 ℃、加热功率 1 W、测试时间 1 s),测试设备如图1所示。

图1 Hot Disk TPS 2500S 导热分析仪

图2 测试软件原始输出:热导率 240.7 W/(m·K),热扩散率 93.79 mm2/s
表1 对比测试数据
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项目 |
博睿 AN240 |
海外 250 W 级产品 |
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热导率 / W/(m·K) |
240.7 |
231.2 |
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抗折强度 / MPa |
305 |
309 |
对比测试结果显示博睿光电的AN240基板与日本竞品抗弯强度相当,而热导率高出近10W/mK,表明其产品已经全面达到国外竞品的技术水平,突破了国外技术垄断,且正在实现超越。

图3 常见基板材料热导率对比
基板内部组织微观结构直接影响基板热导率。气孔是热流路径上的断路,晶界第二相是声子的散射源;晶粒越完整、晶界越干净,热的传输就越顺利。

图4 高导热氮化铝基板断面显微结构(2000×,BSE):晶粒发育完整、尺寸分布集中,晶界洁净,气孔以孤立闭孔为主。其中 (b) 为同一视场经图像处理按晶粒着色,仅用于观察晶粒尺寸分布,不代表晶向。
基板的微观组织特征很好的印证了 240.7 W/(m·K) 的实测值。声子在晶粒内部得以顺畅传递,而不会被晶界的第二相或缺陷散射,从而保证了热量在基板内的顺利传输。
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产品与规格
博睿光电目前提供热导率200/220/240 W/(m·K)等不同等级的产品,用户可结合封装的热流密度与成本目标进行选型。
江苏博睿光电股份有限公司成立于2009年,主营稀土发光材料、高导热陶瓷基板、高导热界面连接材料,是行业领先的第三代半导体封装材料及应用解决方案提供商,为国内率先贯通粉体-片材(基板)-金属化全制程、集原创技术-核心专利-核心产品研发制造能力为一体的第三代半导体封装材料龙头企业。博睿光电研发团队两次入选江苏省双创团队,拥有国家高层次人才、国家先进制造业人才、科技部创新创业人才、江苏省创新创业人才、江苏省“333工程”专家、江苏省六大人才高峰等高级人才专家。

公司为国家专精特新重点“小巨人”企业、江苏省科技领军企业、国家高新技术企业、江苏省最具成长性高科技企业、江苏省企业知识产权管理标准化示范先进单位,是中国稀土行业协会、国家半导体照明工程研发及产业联盟成员单位;建有国家博士后科研工作站、江苏省企业技术中心等科研平台;先后承担国家中小企业发展专项、科技部中小企业创新基金、江苏省科技成果转化、江苏省制造强省建设专项等国家及省部级项目20余项,累计授权有效发明专利150余件(国际专利44件),获江苏省科技进步二等奖2项、有色金属工业科学技术奖二等奖1项、全国稀土标准化技术委员会技术标准优秀奖二等奖1项;主编/参编国家、行业标准16项。
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采集来源:艾邦陶瓷展
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