想要实现模组小型化、高密度布线，沿用十几年的湿法蚀刻工艺，已经跟不上第三代半导体迭代速度。业内头部厂商纷纷布局全新图形制造技术，四大新工艺蓄势替代传统方案，或将重塑整个功率基板产业链。目前行业已有在研发的有：改性湿法、等离子干法、激光直刻、激光辅助湿法等四大新工艺。
DBC/AMB 传统湿法蚀刻
目前量产主流
现阶段市面绝大多数车载、工控功率基板，生产都依靠酸性氯化铜、过硫酸铵、氨系药水湿法蚀刻，适配100~500μm厚铜线路，DBC基材为纯铜覆陶瓷，AMB铜层底部附带钛基活性钎焊层，是成熟落地十几年的量产工艺。
DBC/AMB现有湿法蚀刻优缺点
传统湿法三大不可替代优势：
量产性价比拉满
蚀刻槽+喷淋产线设备投入低廉，药水原材料（氯化铜/过硫酸铵）易采购，整板批量加工，大批量生产IGBT基板成本优势显著，是中低端功率基板刚需工艺。
基材保护能力出色
蚀刻药液仅腐蚀铜材，对氧化铝、氮化铝、氮化硅陶瓷几乎无腐蚀。DBC纯铜、AMB表层铜去除时不伤底层陶瓷；优化配方可对Ti钎料选择性微调蚀刻，基材报废率低。
工艺门槛低、厚铜兼容性强
常规贴膜-曝光-显影配套即可投产，不用高等级无尘、真空车间，200μm以上中小线路量产稳定；可加工120~800μm全规格厚铜箔，完美适配大功率新能源模块大电流需求。
致命短板，卡死高端SiC国产化
侧蚀顽疾无法根治（最大痛点）
药液的各向同性腐蚀特性，在纵向蚀刻铜材的同时，会横向啃蚀线路侧壁，形成“侧蚀”现象。受此限制，行业内通常遵循“最小线距≈铜厚”的经验规则，当铜厚≥100μm时，线宽/线距难以做到150μm以下，无法支撑SiC模组微型化、高密度集成的量产落地。
环保成本逐年暴涨
酸性废液富集重金属铜离子，氨系蚀刻液挥发有害氨气，危废处置费用连年攀升，压缩工厂利润；药水温度、铜离子浓度细微波动，就会造成线宽尺寸超标。
大板型均匀度短板
对于尺寸＞127×178mm的大尺寸基板，传统喷淋蚀刻易出现板面中心与边缘腐蚀速率不一致的问题，导致线路公差失控，难以满足高端SiC基板的一致性要求，良品率难以提升。
正因上述痛点，改性湿法、等离子干法、激光直刻、激光辅助湿法四大新型图形化工艺，已成为全球头部基板企业的重点研发方向。这些工艺通过减少/消除侧蚀、降低废液排放、提升大板均匀度，突破了传统湿法蚀刻的精度和环保瓶颈，目标是突破细线精度壁垒，实现SiC高端DBC/AMB基板的国产化。
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