【议题更新至6月5日】陶瓷基板暨功率半导体产业论坛（8月26日·深圳）

随着新能源汽车、光伏储能、工业控制、轨道交通等战略性新兴产业进入规模化落地阶段，从5G/6G通信的飞速发展到工业自动化、智能电网的升级改造，依赖于高效、可靠、小型化的电力电子技术作为核心支撑，功率半导体作为“电能转换核心”，其性能直接决定终端产品的效率与可靠性；陶瓷基板的导热效率、封装工艺的可靠性，正是突破功率半导体“高功率、小型化、长寿命”瓶颈的关键。

目前，微电子器件与第三代半导体的应用向高集成、高性能发展，功率密度与发热量激增，严重制约器件可靠性与寿命，因此发展兼具高导热和优良综合性能的新型封装材料已成为解决此问题的关键。陶瓷基板因其优异的绝缘性、高导热性、与芯片匹配的热膨胀系数以及出色的机械强度，成为高功率、高频率、高温应用场景下不可替代的封装材料。

陶瓷材料体系主要包括氧化铝、氮化铝、氮化硅等，其中氮化铝凭借其远超氧化铝的导热性能已成为大功率LED、激光器、IGBT模块的首选；氮化硅材料兼具高导热与极高的机械强度是应对剧烈热循环，如电动汽车逆变器的理想材料。陶瓷封装为电子芯片提供保护的气密性封装技术，为芯片创造一个长期稳定、隔绝外界水汽和污染等工作环境，相较于成本更低的塑料封装，它性能更优但价格更高；相较于金属封装，它具有天然的绝缘优势，随着降本增效的诉求与塑封技术的持续迭代，给陶瓷封装带来新挑战。降本增效以及塑封技术进一步提升等因素影响，陶瓷封装如何凭借需锚定自身耐高温、高可靠、优散热核心优势，加速核心技术迭代创新，精准聚焦高端电子细分场景深化适配成为成为抵御降本增效压力与塑封技术冲击的核心竞争力。

功率半导体是电力电子领域核心，作为能源转换关键器件，推动新能源汽车、光伏储能、智能家居等多行业效能与稳定性提升，其作用涵盖功率转换、放大、开关及线路保护等，其中IGBT 和 MOSFET 是主流产品，分别主导高耐压与低压领域应用，硅材料目前仍占主导，碳化硅、氮化镓等宽禁带材料凭借优异特性逐步渗透， 新一代的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件仍受困于材料缺陷等挑战。

目前，功率半导体正朝着高功率密度、微型化、高效率及高可靠性方向发展，芯片与封装技术升级成为关键，功率模块封装需集成芯片与陶瓷衬板、引线等部件，保障芯片全效能发挥，密集封装带来的功率密度飙升，使得电压降管理和热耗散压力巨大，传统隔离技术在高频高压下也接近性能极限，制约了系统整体效率与安全性。

图源：比亚迪半导体

半导体功率器件主要涉及原材料、设备等供应环节，包括晶圆、光刻机、引线框架、宽禁带材料及其他辅助材料的供应、半导体功率器件研发设计、生产制造、封装测试等生产制造环节以及下游的应用市场。目前产业链上下游协作仍有不足，突破这些瓶颈需要材料创新、技术提升与产业链协同的共同努力。

在此背景下，功率半导体的性能突破与可靠应用，离不开陶瓷基板的高效导热支撑与陶瓷封装的精密防护保障，艾邦智造将于2026年8月26号在深圳国际会展中心宝安新馆7号馆举办展会同期论坛——陶瓷封装暨功率半导体产业论坛，在艾邦精密陶瓷展会期间，产业链上下游企业汇聚的氛围下，论坛的主题将围绕陶瓷材料、封装工艺、功率半导体芯片及应用等方面展开，现诚邀行业专家、企业代表与科研学者齐聚论坛，共探技术融合新路径、共话产业发展新机遇。