株式会社村田制作所初次*开发并开始量产了1210英寸(3.2×2.5mm)尺寸、额定电压1.25kV、具备C0G特性的、15nF静电容量的多层片式陶瓷电容器。该产品可用于车载充电器(OBC)及高性能民用电子设备的电源电路,有助于实现高效率的电力变换,并在高电压条件下稳定运行。(*由村田调查得出,截至2025年12月1日。)
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主要特点
在1210英寸(3.2×2.5mm)尺寸、额定电压1.25kV且具备C0G特性的前提下,实现了15nF特大静电容量的多层片式陶瓷电容器。
1.25kV高耐压,适配SiC MOSFET。
C0G特性带来低损耗与稳定的电容值。
车载充电器(OBC)安装于电动汽车(EV)上,从外部电源为车载电池充电的装置。在电动汽车搭载的车载充电器以及民用设备的电源电路中,通常会包含用于高效电力变换的谐振电路,以及用于遏制电流、电压峰值的缓冲(吸收)电路。由于这两类电路中高电压与大电流反复作用,元件性能的轻微变化就可能导致效率下降、设备发热,进而可能引发工作异常或故障。因此,市场亟需具备在温度变化下性能稳定、损耗低且能承受高电压的电容器。
近年来,电源电路中的开关器件正从Si MOSFET向能够实现更高效率与高速开关的SiC MOSFET转移。开关半导体器件以高速对电流进行通断控制,实现电压与频率变换的,Si MOSFET采用硅半导体的电力控制用开关器件,多用于低至中耐压场景。SiC MOSFET是采用碳化硅的高耐压、高效率电力控制用开关器件,多用于超过1.2kV的场景,通常要求1.2kV的耐压规格,因此对额定电压高于该水平的电容器需求在增加。
为此,村田通过特有的陶瓷材料与内部电极薄层化技术,首次在1210英寸尺寸实现了额定电压1.25kV、具备C0G特性、静电容量为15nF的本产品,并已开始量产。借助C0G特性的低损耗及电容随温度变化的稳定性,本产品适用于谐振电路与缓冲(吸收)电路。
主要规格
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温度特性(对应标准) |
EIA |
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工作温度 |
-55~125°C |
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电容容差 |
±1~±5% |
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