青禾晶元突破8英寸SiC键合衬底制备

对比6英寸SiC晶圆，8英寸SiC晶圆可用面积几乎增加一倍，芯片产出可增加80-90％，SiC晶圆升级到8英寸将会给汽车和工业客户带来重大收益。因此，SiC晶圆走向8英寸是业界公认的发展趋势。

SiC长晶受限于生长良率低、周期长等瓶颈导致成本无法有效降低。先进SiC键合衬底技术可以将高、低质量SiC衬底进行键合集成，有效利用低质量长晶衬底，与长晶技术一同推进SiC材料成本显著降低，实现高效地将过剩的传统生产力转化为新质生产力。

4月11日，青禾晶元宣布近日通过技术创新，在SiC键合衬底的研发上取得了重要进展，在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底，进一步巩固了青禾晶元在该领域的引领地位，有望加速8英寸SiC衬底量产进程，为产业界客户提供更具竞争力的价格。

青禾晶元8寸N型SiC复合衬底

青禾晶元集团成立于2020年7月，是国际上少数掌握全套先进半导体衬底键合集成技术的半导体公司之一。青禾晶元天津复合衬底产线是国内首条新型复合衬底量产线，技术水平全球领先，填补了国内在该领域的空白。

目前，这条国内首条新型复合衬底量产线已于2023年5月19日正式通线，产线首期产能规模3万片，未来计划达到15万片；衬底尺寸以6英寸为主，未来会转到8英寸。

青禾晶元致力于将国际前沿的半导体材料融合技术产业化，已获得多家知名产业方和社会资本的广泛认可。根据企查查信息，青禾晶元此前已完成6轮融资，累计完成超8亿元人民币的融资，其中2023年5月获2.2亿元A++轮融资。目前该公司已获得天津天创青鑫企业管理合伙企业(有限合伙)，南京俱成，云启资本，北京集成电路尖端芯片基金，沃赋创投，阳光电源，磐衡投资，智科资产，瑞东资本，建信信托、英诺天使、同创伟业、合勤资本、惠友资本、云启资本、云晖资本、软银中国、韦豪创芯、芯动能、正为资本等机构投资。

资料来源：青禾晶元

原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：青禾晶元突破8英寸SiC键合衬底制备