近日,Power Cube Semi宣布,已在韩国首次成功开发出2300V SiC MOSFET,并将于明年初量产。
这家SiC企业开发出韩国首款2300V SiC MOSFET
2300V 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率半导体
据悉, Power Cube Semi 最初是一家无晶圆厂公司,开发三种国产器件的功率半导体:SiC(碳化硅)、Si(硅)和Ga₂O₃(氧化镓)。这些产品广泛应用于服务器电源和车载充电器(OBC)等领域。
与现有的Si(硅)基半导体相比,SiC(碳化硅)能够承受更高的电压,因此被称为引领未来功率半导体的下一代器件。
此次发布的2300V SiC MOSFET续了现有1700V SiC MOSFET的开发和量产经验,适用于需要高电压和低功率的应用,如输配电。Power Cube Semi正在与KEPCO进行谈判,以提供用于输配电的逆变器。
德国全球功率半导体公司英飞凌也宣布在3月份推出了2000V产品,但并没有2300V产品阵容。

跟据网络消息,2021年,Power Cube Semi已经开始生产6英寸1200V SiC二极管。进入2022年,进一步扩大了其产品线,通过东部高科(DB Hitech)代工生产了650V Super Junction(SJ) MOSFET,并成功地将这些产品大量供应给了中国的一家全球性电动汽车公司。同年11月,公司获得了B轮投资,累计金额达到90亿韩元(约合人民币5000万元),这笔资金用于购买功率半导体产设备,以扩建工厂并增加产能。

2023年12月,宣布与加拿大电子元器件供应商Sigma Components建立了战略合作伙伴关系,这标志着该公司业务向国际化加速,特别是向北美市场拓展。通过本次合作,Power Cube Semi期望其应用于电动汽车充电器的SJ MOSFFET、SiC MOSFET产品能够获得批准。

原文链接:https://www.etnews.com/20240327000004

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):这家SiC企业开发出韩国首款2300V SiC MOSFET

作者 li, meiyong

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