为什么 IGBT 模块中需要栅极电阻器？

IGBR 是具有防潮功能的大功率背接触式电阻器，可实现超高额定功率，具有适用于混合组件的微型外壳尺寸。

IGBR 电阻器具有高额定功率、单一引线接合组装的特性，外壳尺寸从 0202 到 0808 不等。典型应用于功率转换器（第三代 SiC MOSFET）的栅极电阻器、大功率应用和替代能源等领域。IGBR 是节省电源模块空间的完美部件。

为什么 IGBT 模块中需要栅极电阻器？

1. 通过限制电流影响开关速度

2. 限制栅极驱动路径中的噪声

3. 限制寄生电感和电容

4. 限制对栅极进行充电和放电的电流

5. 限制峰值栅极电流以保护驱动器输出级

6. 耗散栅极回路中的功率

7. 影响开关损耗并防止栅极振荡

深圳市禹龙通电子股份有限公司成立于 2000 年，坐标深圳市南山区，拥有独立自主的厚膜、薄膜生产线。我司 2005 年获得军工武器装备资质，最高可生产宇航标准等级产品；2010 年成为国家高新技术企业，目前主要给 5G 通讯和军工产品作配套。

目前禹龙通生产的 IGBR 主要应用于 SiC MOSFET 模块中，作为栅极电阻起到驱动的作用。当前国内 SiC MOSFET模块基本是都是用国外(美国)威世的电阻，我们可以对其进行国产化替代。

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为什么 IGBT 模块中需要栅极电阻器？

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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：为什么 IGBT 模块中需要栅极电阻器？