高意集团在宾夕法尼亚州和瑞典大规模扩建工厂，加速投资碳化硅衬底和外延晶圆制造

3月7日，宽带隙半导体的领导者高意集团宣布加快对150毫米和200毫米碳化硅（SiC）基片和外延片生产的投资，在宾夕法尼亚州的Easton和瑞典的Kista进行大规模的工厂扩建。这是该公司先前宣布的在未来10年内对碳化硅投资10亿美元的一部分。

为了满足全球对SiC电力电子的加速需求，高意将大力建设其位于Easton的近30万平方英尺的工厂，以扩大其最先进的150毫米和200毫米SiC基片和外延片的生产规模。预计到2027年，Easton的150毫米和200毫米SiC衬底的年产量将达到相当于100万块150毫米衬底，200毫米衬底的比例将逐渐增加。Kista外延片产能的扩大旨在服务欧洲市场。未来五年内将使高意在SiC基片的产量至少增加六倍。

 

高意将利用其在Kista开发的业界领先的外延片技术。这项技术能够在单个或多个再生长步骤中实现厚层结构，非常适合于1千伏以上应用中的功率器件。

 

原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：高意集团在宾夕法尼亚州和瑞典大规模扩建工厂，加速投资碳化硅衬底和外延晶圆制造