2026年6月30日，江苏鲁汶仪器股份有限公司科创板IPO获受理。鲁汶仪器致力于为集成电路制造产业提供先进的装备和工艺解决方案，自设立以来专注于半导体前道设备的研发、生产和销售。鲁汶仪器通过多年自主研发，围绕离子束塑形、等离子体刻蚀等核心工艺，掌握了一系列核心技术，形成了以离子束设备和 ICP 刻蚀设备为核心，CVD 设备和 VPD 设备为辅助的多品类产品矩阵。
鲁汶仪器研发项目包括新设备研发项目和设备优化研发和关键模块研发。新设备研发项目主要是公司针对新产品、新工艺，制造研发机台，调试性能参数，通过公司验证测试后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型量产。设备优化研发是公司以量产机台为基础，根据不同客户和定制化应用的要求对现有设备的性能参数、功能配置等方面进行持续性的测试改进、升级优化。关键模块研发是指针对影响设备整体性能参数的关键模块单独进行的研发活动，目前鲁汶仪器已完成或正在进行传输平台、静电卡盘、射频匹配器等模块的自主研发。在研静电卡盘研发项目通过对核心结构及关键材料的突破研发，自主开发应用于 12 英寸 ICP 刻蚀设备所需的各型号静电卡盘。鲁汶仪器在已有的特种金属膜层铣削技术的设备基础之上，对其中的静电卡盘进行升级研发，从原有的最高可工作温度 80℃提升到最高可工作温度 200℃，工艺最佳工作温度范围 100℃至 180℃。在此基础上配合腔内静电卡盘周边的部分工艺涂层部件的改进，使得 ICP 刻蚀设备整体具备了在中高温 150℃稳定刻蚀工艺能力，即形成了中高温（150℃）含钨、钼材料层刻蚀技术。
鲁汶仪器已成功研制了离子束设备，ICP 刻蚀设备，CVD 设备以及 VPD 设备等，产品布局呈现多样性，尤其在 12 英寸离子束设备领域。同时，鲁汶仪器不断通过与国产厂商的合作以及对静电卡盘、传输平台、射频匹配器等模块的自主研发，持续推动半导体设备零部件采购的多元化进程，减少对于上游国际厂商的依赖，不断解决供应链安全问题。
鲁汶仪器本次拟募集资金250,000万元，用于鲁汶仪器研发总部和制造基地项目，以及集成电路装备研发项目。其中，鲁汶仪器研发总部和制造基地项目将依托公司现有技术及生产经验积累，进行离子束设备、ICP 刻蚀设备、CVD 设备及 VPD 设备产线的建设，有效扩充公司产品的生产能力，提升公司研发能力，增强公司盈利能力。集成电路装备研发项目拟面向 12 英寸半导体制造技术以及先进逻辑、先进 3D NAND、先进 DRAM 架构芯片制造工艺，聚焦半导体先进制程设备、核心部件及配套系统，对公司现有产品进行技术迭代升级，并同步开展新能力的布局与建设。在布局新技术和能力建设方面，该项目将同步推进高性能静电卡盘、高性能离子源部件的研发，为离子束类设备提供超温区控制、大口径离子源等关键组件支撑。
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