展位号：C58！南积半导体带来从陶瓷到金属化的高功率基板全套解法

公司简介 

南积半导体（中山）有限公司，位于中山市三角镇，是一家集研发、设计、生产为一体的高科技型企业，专业从事陶瓷电路基板的生产销售。公司采用先进的DPC、DBC和AMB工艺，以氧化铝、氮化铝、氧化锆、碳化硅、氮化硅、蓝宝石、金刚石、石英、玻璃、压电陶瓷、ZTA增韧陶瓷以及3D立体陶瓷等优质原材料为基础，开发出具有卓越性能的电子材料产品。

公司产品具有优良的导热性能、绝缘性和稳定性，在航空航天、汽车电子、电力电子、新能源、生物医疗、智能传感、智慧照明等领域得到广泛应用。

工艺技术介绍 

DPC（Direct Plating Copper）薄膜技术是一种利用磁控溅射技术制备铜薄膜的方法。将目标材料为铜的铜靶放置在真空腔室中，通过磁控溅射技术使得铜靶表面产生等离子体，利用等离子体中的离子轰击靶表面，将其溅射成细小颗粒并沉积在基底上形成铜薄膜。

DBC（Direct Bonding Copper）工艺是一种将铜箔直接键合到氧化铝或氮化铝陶瓷基板表面的金属化方法。其基本原理是在Cu与陶瓷之间引 进 氧 元 素 ， 然 后 在 1065～1083℃时形Cu/O共晶液相，进而 与 陶 瓷 基 体 及 铜 箔 发 生 反 应 生 成CuAlO2或Cu(AlO2)2，并在中间相的作用下实现铜箔与基体的键合。

AMB（Active Metal Brazing）工艺是一种在800℃左右的高温下，利用含有活性元素Ti、Zr的Ag基焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应，从而实现陶瓷与金属异质键合的一种工艺技术。AMB陶瓷基板用Ag基粉体及其焊膏产品具有氧含量低、纯净度高、球形度高的特点。其结合是通过陶瓷和活性金属钎料在温度下的化学反应实现的，与传统的AI2O3陶瓷基板相比，AMB中使用的Si3N4陶瓷具有更高的热导率（90W/mK 25℃），更接近硅的热膨胀系数（2.6x10 -6 /K）。因此，AMB基板具有较高的黏合强度和可靠性。

类型：

• 96%/99%/99.6%氧化铝陶瓷

• 氮化铝陶瓷

• 氧化锆

• 蓝宝石/石英/玻璃

• 碳化硅/氮化硅

• 金刚石

规格：

• 导体常用大料尺寸(mm):120*120、132*142、190*140、400*400；

• 常用大料厚度(mm):0.1mm、0.2mm、0.254、0.381、0.5、0.635、1.0、1.5、2.0、3.0、4.0（其中 1.5 、2.0 或其他厚度的板材需要提前定制,定制时间为15-20天）。

常规钻孔方式为激光打孔

1. 最小孔径：0.075mm；

2. 孔径锥度公差： +/-10%；

3. 钻孔偏移度：+/-10 um；

4. 孔径公差：

PTH孔：+/-0.076 mm

NPTH孔：+/-0.05 mm。

• 线路层数：单面 双面

• 表铜厚度（盎司 oz）

H/H：1/1、2/2、3/3、4/4、5/5、6/6、7/7、8/8、9/9 、 10/10

• 电镀铜表面粗糙度：≤ 0.3 um；

• 可导通孔电镀完美封孔，达到导通孔表面无孔痕迹；

• 镀铜孔纵横比：10:1 ；

• 孔铜 ≥ 表面铜厚。

1.线路对位公差: ≤ 50um；

2.对位层位公差：±50um；

3.线路公差：±15%；

4.最小线宽线距：0.1/0.1mm。

1.未指定油墨厚度按如下控制（客户指定油墨厚度则按客户要求控制）：

① 线面：≥10um；

② 线角：≥8um；

③ 基材：≥10um；

2.阻焊对位公差：± 30um；

3.阻焊开窗：≥38um；

4.阻焊油桥宽度：

1.最小字符线宽≥0.13 mm；

2.字符对位公差≥0.12 mm；

3.最小字符高度≥0.75 mm。

1.沉镍金：

镍厚：3～8 um；

金厚：0.0254～2 um；

2.沉镍钯金：

镍厚：3～8 um；

钯厚：0.0254～2 um；

金厚：0.0254～2 um；

3.沉银：

银:0.254～0.8um；

4.沉锡

5.OSP（防氧化）。

激光外形的加工方式：划线、切割、打孔

1.切割线距离线路最近距离：0.1mm；

2.上、下切割线对准度：±20um；（双面划线板控制对准度）；

3.余厚控制精度：±50um；

4.偏移精度公差：±25um；

5.外形公差 ±0.1mm。

• 水刀切割刀片宽度规格：0.076mm、0.1mm、0.13mm、0.15mm、0.2mm；

• 外形尺寸精度：≤±0.05mm；

• 单PCS出货尺寸：最大出货尺寸：138*190mm、最小出货尺寸：1 * 1 mm。

产品介绍