【邀请函】第五届陶瓷基板及封装产业论坛（2025年6月12日·苏州）

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随着现代科学技术特别是电子信息技术的快速发展，微电子器件向大规模集成、微型化、高效率、高可靠性等方向发展，特别是第三代半导体器件（SiC、GaN）的兴起和应用，电子系统集成度的提高导致功率密度升高，进而电子元件和系统工作产生的热量上升，系统工作温度升高，从而引起半导体器件性能恶化，器件破坏、分层等，甚至使封装材料烧毁。因此，研究开发具有高热导率及良好综合性能的新型封装材料已成为当务之急。

陶瓷基板具有绝缘性能好，可靠性高，介电系数较小，高频特性好，热膨胀系数小，热失配率低，热导率高，气密性好，化学性能稳定，耐蚀性好，不易产生微裂等现象等优点，基本上能够满足微电子器件封装的一切性能要求，被广泛应用于汽车电子、轨道交通、储能光伏、航空航天和军事工程等领域中。

随着高功率电子元器件封装基板的要求逐步提高，金刚石基板高热导率和低热阻的特性，能够迅速将高密度热量从热源部位传递出去，成为封装基板的理想材料，但目前单一的金刚石不易制作成封装材料，且成本较高，目前还在研究当中。

陶瓷基板由陶瓷基片和布线金属层两部分组成，金属布线是通过在陶瓷基片上溅射、蒸发沉积或印刷各种金属材料来制备薄膜和厚膜电路。常用的电子封装陶瓷基板材料有氧化铍（BeO）氧化铝陶瓷(Al2O3)、氧化锆增韧氧化铝（ZTA）、氮化铝陶瓷(AlN)、氮化硅陶瓷(Si3N4)和碳化硅陶瓷(SiC)等；除了上述提到的陶瓷基板外，封装基板金刚石基
板其极高的 2200~2600 W/(m.K)热导率和低热阻，能够迅速将高密度热量从热源部位传递出去，为高功率电子器件提供了理想的散热方案。陶瓷基板金属化方法有很多种，根据封装结构和应用要求，陶瓷基板可分为平面陶瓷基板和多层陶瓷基板两大类，按照工艺分为DPC、DBC、AMB、DBA、TPC、TFC、LTCC、HTCC等。

随着电子设备功耗越来越高、小型化集成化更为突出和频率越来越高，要求封装产品更高的散热效果、更为密集的布线电路、更低的损耗。材料方面，具有更优异的热导率和力学性能的氮化物陶瓷逐渐成为电子器件的主要散热材料；工艺方面，厚膜基板叠加薄膜工艺制作高精度电路基板，DPC工艺制作三维电路基板，利用增材制造技术制备陶瓷电路板等。

▲往届活动现场

目前，国内陶瓷基板行业与国际领先企业仍然存在一定的技术差距，高品质粉体、高端无氧铜带材料、AMB焊料等“卡脖子”关键材料仍然依赖进口，产品生产工艺困难、品质良率不高、成本高等问题阻碍发展。为加强陶瓷基板及封装行业上下游交流联动，艾邦智造将于2025年6月12日在苏州举办《第五届陶瓷基板及封装产业论坛》，本次研讨的主题将围绕氧化铝、氧化锆增韧氧化铝、氮化铝、氮化硅等高性能陶瓷基板的原材料技术、成型技术、加工工艺技术、表面处理技术及金属化技术、检测技术，陶瓷基板及封装最新研究进展、未来发展趋势以及应用前景等方面展开，诚挚邀请产业链上下游朋友一起交流，为行业发展助力。