近日，浙江六方半导体有限公司（下称“六方半导体”）完成超亿元C1轮股权融资，本轮由北京仓廪资本与诸暨产业投资集团有限公司联合出资。融资资金将重点投向前沿新品研发与产能扩建，占地100亩的新厂房计划于2026年12月正式投产。
这是六方半导体自2018年成立以来的又一次关键节点。在此轮融资之前，公司已完成从天使轮到B轮的多轮外部融资，历史投资方包括诸暨创发股权投资基金、中南创投、杭州金投、轩元资本、劲邦资本等。C1轮由产业资本与地方国资联手进入，指向的已不仅是单一产品的放量，而是一条从“托盘”延伸到“刻蚀环”的CVD-SiC材料平台化路径。
在LED芯片外延、硅单晶外延、碳化硅外延等工艺中，晶圆需要被放置在涂层载盘上，经受高温与腐蚀性气体的反复冲击。托盘的涂层质量、一致性和寿命，直接关系到外延层的均匀性和芯片良率。这一关键零部件长期由海外厂商主导，是半导体材料链条上典型的“卡脖子”环节。
CVD-SiC的核心能力在于，能够在石墨或其他基体表面沉积出高纯度、高致密性的碳化硅涂层，从而在高温、等离子体腐蚀等极端工艺环境中替代传统材料。六方半导体围绕这一底层能力，已经推出导流桶、单晶硅外延托盘、LED芯片外延托盘、SiC聚焦环等多条产品线。聚焦环、边缘环是刻蚀设备中的关键耗材，技术壁垒在半导体设备用SiC零部件中居于高位。
六方半导体的外延托盘产品已进入三安光电、兆驰半导体、华灿光电等头部客户的产线，并在LED外延、硅外延、第三代半导体外延等领域实现规模化上量。在半导体零部件领域，进入大客户供应链并通过长时间产线验证，本身即是技术能力最硬的筛选机制。
六方半导体占地100亩的新厂房预计2026年12月投产，将大大提升CVD-SiC零部件的生产能力。
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