2026年09月15日，Resonac Holdings Corporation在作为下一代电子材料的碳化硅领域，成功实现了直径300mm（12英寸）SiC单晶的生长及基板加工。300mm（12英寸）是当前正在开发中的SiC基板中全球最大级别的口径，这将成为面向SiC基板及SiC外延晶圆大口径化和高品质化的重要技术里程碑。
SiC在功率半导体领域，与使用传统硅晶圆的功率半导体相比，电力转换时的损耗和发热更少，作为有助于节能的材料而备受关注。其需求正以电动汽车和可再生能源领域为中心不断扩大，在数据中心电源等要求高效率的领域，其应用也正在扩展。在此市场扩大的背景下，Resonac目前主要供应市场主流的150mm（6英寸）SiC外延晶圆，并已开始出货200mm（8英寸）SiC外延晶圆。
此外，单晶SiC材料因具有高导热率，其在面向AI服务器和HPC半导体的散热基板及先进封装基板中的应用也备受关注。同时，凭借其高折射率等特性，也有望应用于AR智能眼镜等领域。
此次成果是基于长期以来积累的SiC单晶生长技术和基板加工技术，并利用绿色创新基金项目部分成果，旨在推进SiC基板大口径化和高品质化工作的一环。
Resonac今后将继续以“一流”为座右铭，追求SiC单晶基板及外延晶圆的技术革新，通过提供高性能、高可靠性的SiC材料，为功率电子市场的进化和可持续社会的实现做出贡献。
随着电子设备朝着小型化、高功率密度、多功能化等方向发展，电子产品的迭代升级对于导热散热材料的性能提出更高的要求。过去仅依靠单一材料的散热方案已逐渐无法满足其高效率的散热需求，新型材料+组合化、多元式的散热材料方案逐渐成为市场主流。艾邦建有散热材料交流群，欢迎扫码加入： 
长按识别二维码关注公众号，点击下方菜单栏左侧“微信群”，申请加入群聊
长按识别二维码关注公众号，点击下方菜单栏左侧“微信群”，申请加入交流群。
