2026年5月14日，锦州神工半导体股份有限公司（证券代码：688233 ，证券简称：神工股份）拟向特定对象发行股票募资不超过10亿元，扣除发行费用后用于硅零部件扩产项目、碳化硅陶瓷零部件研发及产业化建设项目、研发中心建设项目。
半导体硅零部件是集成电路制造中等离子刻蚀工艺的核心耗材，具备高精度、高洁净、高一致性等严苛要求，是决定晶圆良率与制程稳定性的关键环节。随着全球半导体产业向中国大陆转移、国内晶圆厂持续扩产、存储芯片先进制程快速迭代，以及半导体设备国产化率不断提升，高端硅零部件市场需求呈现刚性增长态势。神工股份目前已具备成熟的研发制造体系、完善的质量管控能力与多项自主知识产权，聚焦12 英寸曲面电极、平面电极、导气环等高端刻蚀用硅零部件扩产，能够有效提升高端产品供给能力与规模化交付水平，更好匹配下游设备厂与晶圆制造厂的批量需求，进一步强化公司在半导体硅零部件领域的市场竞争力，加快推进高端硅零部件国产化替代进程，助力我国半导体产业链关键环节自主可控与高质量发展。
碳化硅（SiC）陶瓷零部件是以高纯度碳化硅粉体为原料，经精密成型与高温烧结制成的高性能无机非金属结构功能部件，与传统硅材料相比，碳化硅具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子漂移速率及优异的化学稳定性等突出特性，能够在高温、高压、高频、强辐射等极端工况下保持稳定性能，是半导体设备腔室关键零部件制造不可替代的核心材料。神工股份深耕半导体相关材料研发制造多年，在碳化硅材料制备、精密加工及半导体零部件领域积累了深厚的技术底蕴与产业化经验。神工股份在半导体核心零部件领域已建立成熟、持续迭代的技术研发体系，在聚焦环（FR）、托盘类等核心碳化硅零部件上已实现关键技术突破与初步产业化落地，技术先进性与产品可靠性获得下游客户认可。神工股份拟依托现有碳化硅领域的核心技术优势，通过控股子公司锦州精辰建设本次“碳化硅陶瓷零部件研发及产业化建设项目”。本项目旨在通过新增 CVD-SiC 陶瓷零部件生产线及配套研发设施，实现碳化硅陶瓷零部件的规模化量产，切入半导体设备核心消耗品赛道。
研发中心建设项目聚焦碳化硅烧结体、高纯碳化硅粉体、精密与专用检测等关键技术研发及产业化，旨在补齐材料与部件核心研发短板、强化高端半导体零部件技术壁垒，构建“材料—部件—检测—验证”全链条研发体系，为公司半导体核心部件国产替代与规模化落地提供关键技术支撑。
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