AI算力、5G光模块、车载功率器件、激光光电产品持续小型化、高功耗、高频高速,传统基板散热差、精度不足、高频损耗大,早已成为器件性能与寿命的最大瓶颈

      DPC接镀铜陶瓷热沉,是目前高端精密封装中,兼顾超高散热、超细线路、超低高频损耗、高可靠的主流散热解决方案。

什么是DPC热沉?

DPC:Direct Plated Copper,直接镀铜陶瓷热沉,属于薄膜金属化陶瓷热沉/基板,以高导热陶瓷(主流AlN氮化铝,其次Al₂O₃、)为基体,采用磁控溅射Ti/Cu种子层+光刻图形化+电镀增厚铜层低温薄膜工艺,在陶瓷表面制备精密铜导电导热图形,既做芯片焊接载体、电气布线,又承担芯片快速散热,称为DPC陶瓷热沉。该工艺低温制备,可实现微米级精细布线与TCV通孔垂直互连,表面平整度优异,适配芯片共晶焊接,广泛用于激光器、光通信、射频高密度封装器件的散热与电气互连

 

 

DPC核心五优势

1. 界面与表面质量优势

采用磁控溅射形成Ti‑Cu过渡种子层,实现陶瓷‑铜原子级界面结合;基板镀铜后表面粗糙度低,平面度好。适配金‑Sn共晶焊、倒装芯片互连,可有效降低焊接界面空洞率,满足光电器件、激光芯片对焊接界面高一致性要求。无高温钎焊引入的玻璃相、钎料残余,陶瓷本征导热性能得以保留。

2. 图形精细化能力强

基于光刻‑电镀薄膜工艺,可实现线宽/线距15‑50 μm精细图形,图形位置精度高。相比于DBC的化学腐蚀大线条,DPC更适合微型化、高密度封装、多通道激光阵列、T/R组件等微细电路布局。支持TCV薄膜通孔金属化,完成陶瓷基板垂直方向电气互连,实现三维高密度集成。

3. 工艺温度低,基体损伤小

整体工艺属于低温薄膜制备,避免DBC高温共晶、AMB活性钎焊高温过程对氮化铝陶瓷微观组织的劣化。陶瓷基体热导率损失小,有利于高热流密度器件热量传导。基板翘曲可控,残余应力水平优于高温覆铜工艺。

4. 镀层结构可设计性强

铜层厚度可控,常规10~80 μm;表面可实现Ni/Au、Ni‑P/Au等不同表面防护镀层,适配钎焊、共晶、导电胶多种互连方式,满足不同器件封装工艺兼容性。

5. 器件级应用适配性

特别适合高功率半导体激光器、光通信器件、射频微波芯片、MEMS器件等高热流、高精度场景;基板绝缘性能稳定,导热‑绝缘‑布线一体化,简化器件热沉‑电路复合结构设计。

 

DPC实物展示

 

核心应用场景

1. 半导体激光器与激光器件

AlN‑DPC 热沉|适配金‑锡共晶固晶,低焊接空洞率

光纤泵浦 / 超快激光、医美医疗激光衬底

VCSEL、激光雷达、多通道激光阵列

EML/CW 芯片 COC 封装载板

2. 光通信高密度封装器件

高速光模块、TOSA/ROSA 组件

微型光收发混合集成电路

3. 射频微波・T/R 组件(军工 / 5G / 卫星)

GaN 功放、相控阵 T/R、毫米波雷达基板

小型滤波器、微波混合集成电路

4. 大功率 LED / UV‑LED 封装

车规 LED、UVC 消毒、舞台光源、植物照明

CSP、倒装 COB 封装基板

5.MEMS 与精密传感器封装

高平面度、高精度焊盘

MEMS 传感器、TEC 制冷器陶瓷载板

微型传感混合封装基板

6. 航空航天 & 高可靠小型电力电子

宇航级混合电路、星载微型电源

中小功率 SiC/GaN 高密度器件基板

在电子产业持续升级的当下,DPC陶瓷热沉然成为高端精密散热的刚需配套,助力产品突破散热上限、提升稳定性与市场竞争力。

石家庄封测电子科技有限公司可提供DPC热沉定制、方案匹配、样品测试、批量量产全链条服务,工艺成熟、精度可控、交期稳定。

随着电子设备朝着小型化、高功率密度、多功能化等方向发展,电子产品的迭代升级对于导热散热材料的性能提出更高的要求。过去仅依靠单一材料的散热方案已逐渐无法满足其高效率的散热需求,新型材料+组合化、多元式的散热材料方案逐渐成为市场主流。艾邦建有散热材料交流群,欢迎扫码加入:

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作者 ab, 808