韩国陶瓷技术院(KICET)于 3 日宣布,由申孝顺与池相洙博士领导的研究团队已成功研发出厚度仅为信用卡水平的超薄陶瓷半导体封装基板

该技术作为能够同时满足人工智能(AI)半导体快速信号传输与高功率效率需求的创新解决方案,正受到业界广泛关注。

近年来,随着 AI 半导体普及,对轻薄、大面积、可实现高密度电路的封装基板需求大幅增长。

传统廉价高分子材料基板信号损耗大,因此近期业界对可实现精细电路的玻璃基板关注度不断提升,但玻璃基板存在通孔(via)工艺难度高、易碎裂等局限。

通孔是指在硅芯片与主板之间形成垂直导通、供电信号通过的微小通道。这一通道是芯片与基板间信号传输的关键,但制造工艺复杂,且玻璃基板在加工过程中极易产生裂纹,技术挑战巨大。

对此,研究团队采用已申请专利的原创叠层・烧结工艺,在低温下将低收缩陶瓷薄片以三明治(薄层)形式进行叠压。

陶瓷薄片在加热过程中不可避免会产生收缩,研究团队将原本高达15% 的收缩率大幅降至 0.05% 水平,并成功将基板厚度减薄至约 0.2 毫米(与信用卡厚度相当)。

韩国陶瓷技术院申孝顺博士表示:“这是从本质上解决了陶瓷基板核心难题 ——收缩问题的工艺技术,将与玻璃基板一同,确立下一代封装基板的地位。”

池尚洙博士也指出:“与当前备受关注的玻璃基板相比,本技术通孔工艺更简单、大面积化更容易,成本更低,尤其克服了原有陶瓷基板无法兼容半导体工艺设备的局限。”

团队已就“超薄高精度无收缩陶瓷中介层的制造方法及由其制造的介层”技术申请专利,并正作为半导体封装基板开展实证研究。

文章内容来源:nate
原文链接:https://news.nate.com/view/20260303n09611
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作者 ab, 808