陶瓷金属化深孔/通孔溅射镀膜设备采用负载锁定型溅射技术,射频、直流、HiPIMS高功率脉冲磁控溅射、脉冲偏压等模块化组合,进出料室可使用五个基材托盘,自动升降传输基材,提高生产率,支持多个阴极同时溅射,镀制多层膜,自动处理工艺并记录数据。
广泛应用于电子元器件的研发和生产,在陶瓷、玻璃、金属上镀制金属膜或电阻膜,实现深孔/通孔全覆盖镀膜,孔径Φ20um,深径比20:1。
设备特点
• 配置装载室,支持多个阴极共溅射及多层膜溅射。
• 基材托盘定制化,自动升隆传输基材,提高生产率。
• 工艺室维持真空状态,缩短生产周期,自动处理工艺并记录数据。
• 镀铜后产品具有低曲翘度,高均匀性,高平整度的特点。
• PVD镀膜膜层稳定性强,具有高硬度、高磨性、高耐腐等特点。
• 先进封装工艺:Ⅰ底部金属化;Ⅱ重分布制程;Ⅲ钛/铜种子层。
关键应用技术
• 高能离子源:有效清洁基材表面,增强膜层附着力。
• 高功率脉冲磁控溅射:提高等离子体能量密度和离化率,能有效让等离子体进入深孔、沟槽等复杂结构,实现优异填孔沉积(高台阶覆盖率),提高膜层致密性。
• 连续式生产线:提升产能,维持真空环境,提高涂层稳定性。
• 多种镀膜方式:磁控溅射/射频溅射等方式可选,适配多种材料。
卓越金属涂层性能
• 适用于陶瓷通孔/玻璃通孔/硅通孔内镀膜,广泛应用于电子元器件的研发和生产。
• 镀微孔范围:孔直径20~100um,深度100~1000um。
• 高结合力与优异导电性,满足各种高性能应用需求。
• 膜厚均匀性小于±3%,提高器件性能稳定性。