爱仕特官微6月20日宣布,近日公司成功实现3300V/60A 碳化硅 MOSFET 的规模量产和交付。这一里程碑式的成就标志着公司在高压大功率电子器件领域的突破,有效打破了国外碳化硅厂商的市场垄断。

爱仕特量产并交付3300V/60A 碳化硅器件

爱仕特3300V系列碳化硅MOSFET

目前,成功研制出3300V碳化硅MOSFET的国内碳化硅器件厂商仍是寥寥无几,据全网最新公开数据,爱仕特是国内首家实现量产3300V/60A 碳化硅MOSFET的厂商

自2018年研制出3300V 碳化硅 MOSFET样品以来,爱仕特科技经过多年的研发和优化,成功推出了耐压高达3300V、导通电阻仅为58mΩ的产品,可承载高达60A的电流。该产品的成功量产和市场交付,体现了爱仕特在SiC功率器件领域的卓越研发能力和先进的生产技术。

爱仕特量产并交付3300V/60A 碳化硅器件

爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET

爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET采用新型TO-247-4L封装设计,具有高耐压能力、低导通电阻、高温稳定性、高开关速度和高功率密度等多项优势。这些特点使得该产品可以在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定运行,适用于3C电子、新能源、汽车电子、五金家电等多个行业的需求。

通过使用自主研发的碳化硅芯片,爱仕特不仅提升了产品的性能,还通过优化制程,降低了芯片成本近15%,在同等规格下,其芯片面积比国内同行小15%至20%,为客户创造更大的经济效益。

来源:爱仕特官微

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):爱仕特量产并交付3300V/60A 碳化硅器件

作者 li, meiyong

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