爱仕特官微6月20日宣布，近日公司成功实现3300V/60A 碳化硅 MOSFET 的规模量产和交付。这一里程碑式的成就标志着公司在高压大功率电子器件领域的突破，有效打破了国外碳化硅厂商的市场垄断。
爱仕特3300V系列碳化硅MOSFET
目前，成功研制出3300V碳化硅MOSFET的国内碳化硅器件厂商仍是寥寥无几，据全网最新公开数据，爱仕特是国内首家实现量产3300V/60A 碳化硅MOSFET的厂商。
自2018年研制出3300V 碳化硅 MOSFET样品以来，爱仕特科技经过多年的研发和优化，成功推出了耐压高达3300V、导通电阻仅为58mΩ的产品，可承载高达60A的电流。该产品的成功量产和市场交付，体现了爱仕特在SiC功率器件领域的卓越研发能力和先进的生产技术。
爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET
爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET采用新型TO-247-4L封装设计，具有高耐压能力、低导通电阻、高温稳定性、高开关速度和高功率密度等多项优势。这些特点使得该产品可以在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定运行，适用于3C电子、新能源、汽车电子、五金家电等多个行业的需求。
通过使用自主研发的碳化硅芯片，爱仕特不仅提升了产品的性能，还通过优化制程，降低了芯片成本近15%，在同等规格下，其芯片面积比国内同行小15%至20%，为客户创造更大的经济效益。
来源：爱仕特官微
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：爱仕特量产并交付3300V/60A 碳化硅器件