随着全球对可持续能源和高效电力解决方案的需求日益增长,功率半导体技术,尤其是IGBT和SiC技术,正处于技术革新和市场扩展的前沿。据小编统计,2024年1月共有40余家企业通过投融资并购、签署合作订单、项目签约及开工投产、发布新品新技术等方式在IGBT/SiC方面持续发力。其中3家企业涉及IGBT、SiC相关业务的投融资收购,14家企业签署合作订单、12家企业有项目签约或开工投产有新进展、6家企业发布推出相关新品。

1.投融资并购
1)索尼银行投资三菱机电300亿日元债券,扩大SiC产能
2)积塔半导体完成D轮融资,国调二期基金入股
3)至信微电子获深重投集团领投A+轮投资
2.合作订单签署
1)中宜创芯与乾晶半导体签署战略合作协议
2)芯塔电子与中科海奥达成战略合作
3)中晟芯泰与江西瑞普签约,投资10亿元合作功率半导体模组制造项目
4)英飞凌与Resonac Corporation、Wolfspeed、SK Siltron CSS、欧姆龙在碳化硅材料/晶圆/储能应用方面展开合作
5)森未科技与东方自控签约国产功率器件开发与应用合作
6)意法半导体与致瞻科技合作,SiC赋能新能源汽车空调压缩机控制器
7)山东粤海金与山东有研半导体合作 SiC 衬底业务
8)利普思高与空客集团合作,氢能飞行器的电驱系统应用高可靠性SiC模块
9)芯联集成与蔚来签订SiC模块产品的生产供货协议
10)Wolfspeed 与一家全球领先的半导体公司扩大 150mm 碳化硅晶圆供应协议
3.项目签约/开工/投产/新进展
1)山西烁科碳化硅设备进场,预计3月试产
2)合盛硅业碳化硅切割片项目预计3月试产
3)连城数控拟投资10.5亿元建设SiC生产基地
4)博蓝特SiC衬底项目计划落地江苏丹阳
5)安徽丰芯半导体开业,年产5亿块集成电路及模块封装项目投产
6)江苏诚盛科技发布大功率器件项目,年产3.3亿只分立器件
7)三星电子与SK海力士主导投资622万亿韩元在韩建半导体产业集群
8)炽芯微电子正式入驻苏州纳米城五区
9)瑞盈芯总部及产业化项目顺利摘地
10)南砂晶圆8英寸SiC扩产基地项目正式备案
11)昕感科技6-8吋功率半导体制造项目封顶
12)北一半导体总投资22亿功率半导体晶圆项目签约
4.新产品、新技术
1)英飞凌推出全新IGBT模块和SiC MOSFET 半桥和三相桥Easy模块
2)三菱电机发布J3系列SiC和Si功率模块样品
3)“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定已成功达到国际先进水平
4)DISCO推出新型自动研磨机,可加工8英寸SiC晶圆
5)深华颖半导体HPD封装SiC模块批量出货
6)爱仕特科技发布新品34mm工业标准封装碳化硅模块
一、投融资/并购

 

15

1月

1. 索尼银行投资三菱机电300亿日元债券,扩大SiC产能

日本索尼银行官网宣布已投资三菱电机株式会社发行绿色债券,发行额度为300亿日元,年限为5年,发行日为2023年12月18日。据悉此债券募集的资金将用于三菱机电碳化硅功率半导体制造相关的资本投资、研发、投融资。
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18

1月

2. 积塔半导体完成D轮融资,国调二期基金入股

上海积塔半导体于近日发生工商变更,新增国调二期基金等企业投资入股,注册资本由101.5亿元增至169亿元。据创投日报消息,此次国调二期基金等入股的为D轮融资。

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25

1月

3. 至信微电子获深重投集团领投A+轮投资

 

深圳至信微电子宣布完成A+轮融资,本轮由深圳重大产业投资集团领投,以及老股东深圳高新投继续追加投资,以共同推动碳化硅功率器件领域的技术创新和市场拓展,风量资本担任财务顾问。

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二、合作订单签署

 

2

1月

1. 中宜创芯与乾晶半导体签署战略合作协议

平煤神马集团旗下的中宜创芯与乾晶半导体签订战略合作协议。双方表示将发挥各自平台优势,在推进行业技术创新、高层次人才培养、以及半导体碳化硅材料质量标准建设等方面开展务实合作。

 

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4

1月

2. 芯塔电子与中科海奥达成战略合作

安徽芯塔电子科技有限公司与中科海奥签署战略合作协议。双方本着优势互补、协同发展的原则,加深在光伏发电、储能及微网系统、节能服务等领域的功率器件供应、应用开发、技术创新等多方面合作,共同赋能我国绿色新能源产业高质量发展。

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10

1月

3. 中晟芯泰与江西瑞普签约,合作功率半导体模组制造项目

晟芯泰航空工业制造集团有限公司与江西瑞普智能科技产业发展有限公司举办江西瑞普智能科技产业发展有限公司功率半导体模组制造项目的投资合作签约仪式,正式达成半导体项目投资合作项目总投资规模为10亿元人民币,将主要从事IGBT功率半导体模组生产项目。

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10

1月

4. 英飞凌与Resonac Corporation、Wolfspeed、SK Siltron CSS、欧姆龙在碳化硅材料/晶圆/储能应用方面展开合作

英飞凌宣布与SK Siltron CSS正式达成协议,SK Siltron CSS将为英飞凌提供具有竞争力的高质量150毫米碳化硅晶圆,支持碳化硅半导体的生产。在后续阶段,SK Siltron CSS将在协助英飞凌向200毫米晶圆直径过渡方面发挥重要作用。

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1 月 12 日,英飞凌与 Resonac Corporation(前身为 Showa Denko KK)签署多年期供应与合作协议,补充并扩大2021 年的合作。新合同将深化碳化硅材料的长期合作伙伴关系。初始阶段Resonac侧重于 6" SiC 材料供应,协议后期将支持英飞凌向 8" 晶圆直径的过渡。作为合作的一部分,英飞凌将为 Resonac 提供与 SiC 材料技术相关的知识产权。

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1月16日,英飞凌与欧姆龙建立合作伙伴关系,通过整合双方的技术优势,利用英飞凌的CoolGaN™技术结合欧姆龙独特的电路拓扑和控制技术,在日本市场推出了体积最小、重量最轻的V2X充电系统——KPEP-A系列。

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1月23日,Wolfspeed宣布与英飞凌与扩大并延伸现有的长期 150mm 碳化硅晶圆供应协议(原先的协议签定于 2018 年 2 月)。后续合作将包括一个多年期产能预留协议,这将有助于保证英飞凌整个供应链的稳定,同时满足汽车、太阳能、电动汽车充电应用、储能系统等领域对于碳化硅半导体不断增长的需求。

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1月25日,英飞凌宣布与盛弘电气达成合作,将为盛弘电气提供的1200V CoolSiC MOSFET功率半导体器件,配合EiceDRIVER™ 紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC, 进一步提升盛弘储能变流器的效率。

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17

1月

5. 森未科技与东方自控签约国产功率器件开发与应用合作

成都森未科技有限公司与东方电气自动控制工程有限公司举行国产功率器件开发与应用合作签约仪式。根据协议,双方将充分发挥各自优势,进一步深化在国产功率器件开发与应用领域的合作。此次合作协议的签订,标志着双方将建立全面、长期、深层次的合作伙伴关系,将携手并进,共同构建国产IGBT功率半导体行业发展新蓝图。

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18

1月

6. 意法半导体与致瞻科技合作,SiC赋能新能源汽车空调压缩机控制器

意法半导体宣布与致瞻科技合作,为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代SiC MOSFET技术。采用高能效的控制器可为新能源汽车带来诸多益处,以动力电池容量60kWh~90kWh的中型电动汽车为例,续航里程可延长5到10公里,在夏冬两季的效果尤为明显。

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17

1月

7. 山东粤海金与山东有研半导体合作 SiC 衬底业务

山东有研硅半导体与山东粤海金于正式签署了《碳化硅衬底片业务合作协议》,该协议旨在充分发挥双方各自优势,创新业务合作模式,共同拓展碳化硅衬底片市场与客户。山东粤海金将发挥其在碳化硅衬底片制造与供应方面的良好基础,山东有研半导体则将运用其现有市场渠道与行业影响力优势,共同应对市场挑战,开拓碳化硅衬底片市场。

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24

1月

8. 利普思高与空客集团合作,氢能飞行器的电驱系统应用高可靠性SiC模块

利普思宣布其ED3H系列高可靠性SiC模块将通过空客集团电驱供应商获得其采用,用于氢能飞行器的电驱系统,作为空客集团未来零排放业飞行器方案的器件方案之一。该模块专为商用汽车和飞行器领域开发,采用半桥拓扑,具有1200V耐压、800A电流、环氧树脂灌封、Si3N4 AMB基板、银烧结、车规品质等特点。

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30

1月

9. 芯联集成与蔚来签订SiC模块产品的生产供货协议

芯联集成宣布与蔚来签署了碳化硅模块产品的生产供货协议。按照双方协议签署,芯联集成将成为蔚来首款自研1200V碳化硅模块的生产供应商,助力蔚来900V高压纯电平台。蔚来将在全国范围铺设换电站,及全面升级1200V碳化硅功率模块,以满足车主的超充快换需求,进而解决新能源汽车车主的里程焦虑和充电焦虑。

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25

1月

10. Wolfspeed 与一家全球领先的半导体公司扩大 150mm 碳化硅晶圆供应协议

wolfspeed宣布扩大与一家全球领先半导体公司现有的长期碳化硅晶圆供应协议。扩大后的协议目前总价值约为 2.75 亿美元, Wolfspeed 将向该公司提供150mm碳化硅裸片和外延晶圆,从而强化了两家公司在全行业范围内从硅半导体功率器件过渡到碳化硅半导体功率器件的愿景。
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三、项目签约/开工/投产/新进展

 

4

1月

1. 山西烁科:碳化硅设备进场,预计3月试产

山西烁科晶体有限公司表示中国电科(山西)碳化硅材料产业基地(二期)项目已具备设备进厂条件,预计3月可投入试生产,投产后产值可达30万片SiC衬底。该项目投资5亿元,主要建设包括单晶生产车间、动力配套等

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6

1月

2. 合盛硅业:碳化硅切割片项目预计3月试产

据“青橙融媒”消息,合盛硅业旗下的“年产800吨电子级碳化硅颗粒材料及60万片碳化硅切割片项目”预计今年3月初试生产,项目总投资20亿元。该项目系内蒙古赛盛新材料有限公司于2023年9月引进呼和浩特金山高新区,11月10日在当地发改委备案并办结。

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12

1月

3. 连城数控拟投资10.5亿元建设SiC生产基地

连城数控全资子公司连科半导体有限公司(以下简称“连科半导体”)与锡山区政府就“连科第三代半导体设备研发制造及总部基地项目”在无锡市举行签约仪式。项目总投资10.5亿元,规划用地100亩,建设半导体大硅片长晶和加工设备、碳化硅长晶和加工设备的研发和生产制造基地。
 

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18

1月

4. 博蓝特SiC衬底项目计划落地江苏丹阳

浙江博蓝特半导体科技股份有限公司与江苏省丹阳市延陵镇就第三代半导体碳化硅衬底项目落地延陵镇进行了深度洽谈,博蓝特实地考察了延陵镇凤凰工业园区的2宗地块,计划在延陵镇投资10亿元建设年产25万片的6-8英寸碳化硅衬底,该项目建成后预计可实现年销售收入15亿元。

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11

1月

5. 安徽丰芯半导体开业,年产5亿块集成电路及模块封装项目投产

安徽丰芯半导体有限公司在池州举行开业典礼,标志其年产5亿块集成电路及模块封装项目正式投产。项目投资额1亿元,专注生产高精度的集成电路封装,全面量产后将形成年产5亿块集成电路及模块封装的产能,预计每年营收规模达2亿元以上。

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15

1月

6. 江苏诚盛科技发布大功率器件项目,年产3.3亿只分立器件

江苏诚盛科技麒思大功率器件项目发布会在江苏扬州高邮成功举办。项目计划总投资9亿元,主要生产大功率器件、SiC、IGBT模块封测等产品。项目分两期实施,一期投入4.8 亿元,预计将于今年8月量产,可年产分立器件3.3亿只、模块120万只。

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16

1月

1. 三星电子与SK海力士主导投资622万亿韩元在韩建半导体产业集群

据韩国产业部声明,韩国计划要在首尔附近建设世界上最大的半导体产业集群,该计划将由三星电子和SK海力士主导,预计到2047年将投资总计622万亿韩元(4730亿美元),建立16座芯片工厂。

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三星电子计划为该项目投资500万亿韩元,其中包括投资360万亿韩元在首尔以南33公里的龙仁新建6家晶圆厂;投资120万亿韩元在首尔以南54公里的平泽新建3家晶圆厂;投资20万亿韩元在器兴新建3家研究设施。SK海力士将投入122万亿韩元,在龙仁新建4家晶圆厂。该产业集群将占地2100万平方米,到2030年,该地区的晶圆月产能将达到770万片。

19

1月

8. 炽芯微电子正式入驻苏州纳米城五区

炽芯微电子科技(苏州)有限公司举行隆重开业仪式,正式入驻恒泰智造·苏州纳米城五区。炽芯微电成立于2023年5月18日,是一家专注于碳化硅塑封功率模块封测的研发、生产制造企业,致力于研发并生产具备全自主知识产权的碳化硅塑封功率模块封测技术。

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26

1月

9. 瑞盈芯总部及产业化项目顺利摘地

锐盈芯总部及产业化项目顺利摘地。该项目选址青山湖科技城横畈片区,总投资50.18亿元,拟用地118亩,建筑面积约20万平方米,容积率不小于2.5。项目计划建设上市公司总部,包括第三代半导体研究院、第三代半导体器件及模组设计公司、先进封装产线、功率封装产线、晶圆测试产线、模块模组制造产线及动力配套等。项目建成后,预计满产后年产值25亿元。

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30

1月

10. 南砂晶圆8英寸SiC扩产基地项目正式备案

据比地招标网消息,南砂晶圆100%控股子公司中晶芯源的8英寸碳化硅单晶和衬底产业化项目正式备案。该项目于2023年6月12日落地山东济南,技术团队主要核心力量为山东大学老师,计划在2025年满产达产,届时预计产值可达50亿元以上。

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30

1月

11. 昕感科技6-8吋功率半导体制造项目封顶

科技6-8吋功率半导体制造项目封顶活动在江苏江阴高新区隆重举行。该项目于2023年8月8日启动,总计投资超10亿元,一期建设厂房6 & 8吋兼容,总建筑面积超4.5万平,核心生产无尘室面积达1万平,包括主FAB厂房(分二期建设完成),以及CUB动力站、甲/乙类库、供氢站等配套设施。届时将引进I-line光刻机、刻蚀机台、UV贴膜机、氧化炉、高温注入等各类生产设备,全力打造国内专业功率半导体生产的制造基地。,昕感科技成为国内极少数能够兼容6-8吋晶圆特色工艺生产的厂商。

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31

1月

12. 北一半导体总投资22亿功率半导体晶圆项目签约

北一半导体科技有限公司总投资20亿元的晶圆工厂和总投资2亿元分立器件生产加工两个项目签约落户牡丹江穆棱经济开发区。国外先进6英寸和8英寸晶圆生产线各一条,产品应用于变频器、UPS、工业控制、新能源汽车、充电桩等领域。全部达产后,年产6英寸晶圆100万片,年产值达30亿元。

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四、新产品/新技术/新突破

 

3

1月

1. 英飞凌推出全新IGBT模块和SiC MOSFET 半桥和三相桥Easy模块

英飞凌推出1200V CoolSiC™ MOSFET半桥和三相桥Easy模块,可应用于电机控制和驱动、伺服电机驱动和控制、电动汽车充电等领域。这些模块采用PressFIT压接技术并带NTC温度检测,还提供预涂热界面材料和AlN/Al2O3基板等不同型号。
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CoolSiC™ MOSFET Easy1B
1月5日,英飞凌宣布推出4.5kV XHP™ 3 IGBT模块,用于改变目前采用两电平和三电平拓扑结构、使用2000V至3300V交流电压的中压变频器(MVD)与交通运输的应用市场。这款新半导体器件将给诸多应用带来裨益,包括大型传送带、泵、高速列车、机车以及商用、工程和农用车辆(CAV)。

创新驱动力:202401期IGBT/SiC功率半导体行业进展速览XHP™ 3 IGBT

23

1月

2. 三菱电机发布J3系列SiC和Si功率模块样品

三菱电机集团宣布将推出六款用于各种电动汽车(xEV)的新型J3系列功率半导体模块,这些模块采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC-MOSFET) 或 RC-IGBT (Si)*1,具有紧凑的设计和可扩展性,可用于电动汽车 (EV) 和插电式混合动力汽车 (PHEV) 的逆变器。所有六款J3系列产品将于3月25日起提供样品。

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J3-HEXA-L

25

1月

3. “SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定已成功达到国际先进水平

由湖南大学、湖南大学无锡半导体先进制造创新中心和江苏优普纳科技有限公司等单位共同完成的“SiC晶圆超精密磨削减薄技术及装备”等两项科技成果鉴定会在湖南大学无锡半导体先进制造创新中心召开。鉴定委员会一致认为项目成果达到国际先进水平,部分指标国家领先,建议进一步扩大市场应用。
 

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25

1月

4. DISCO推出新型自动研磨机,可加工8英寸SiC晶圆

斯科中国发布针对Si以及SiC等8英寸以下晶圆开发的双主轴全自动研磨机「DFG8541」,与DFG8540相比,可实现更为稳定的高产能减薄加工,且进一步完善了清洗结构,提高了维护保养便捷性,降低了压缩空气使用量,减少了占地面积。

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30

1月

5. 深华颖半导体HPD封装SiC模块批量出货

深华颖半导体宣布HPD封装1200V 400-1000A SiC模块批量出货,该SYSM3F02R12HPD碳化硅模块采用HybridPACK™ Drive封装。HPD车驱模块是汽车中使用的电驱模块,主要由功率SIC 模块、半导体器件和控制器组成。

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30

1月

6. 爱仕特科技发布新品34mm工业标准封装碳化硅模块

深圳爱仕特科技限公司 (以下简称“爱仕特”)发布新增一款34mm工业标准封装碳化硅模块,采用了全焊片工艺以及自建不同熔点焊片体系,具有高过载和高耐温循环能力及更多灵活性和可靠性,主要应用于工业焊机、电机传动、UPS电源、高频开关、大功率变流器等工业领域。

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原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):创新驱动力:202401期IGBT/SiC功率半导体行业进展速览

作者 li, meiyong

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