1月17日，国家高速列车技术创新中心与青岛大商电子有限公司高性能半导体材料科研成果转化签约仪式于青岛天安科创城成功举行。
根据协议，双方将共同推动高性能半导体材料关键技术研发与成果转化，开发具有自主知识产权的高纯度焊接复合材料及其钎焊技术体系，为第三代半导体高可靠封装技术的国产化提供科学基础和技术支撑，保障半导体等相关先进制造业的产业链安全和高质量发展具有重要意义。
国家高速列车技术创新中心是科技部和国资委联合批复的第一个国家级技术创新中心，多年来始终立足于轨道交通产业研发与应用，积极组织推动“政产学研用”相结合的科技成果转移转化与产业培育，致力于为行业发展提供源头技术供给、为地方经济发展献策助力。
青岛大商电子有限公司成立于2023年6月，专注于第三代半导体封装用活性金属钎焊 (AMB) 陶瓷基板的研发生产，具备活性金属钎焊 (AMB) 自主正向研发实力与大规模量产经验。其产品终端主要应用于电动汽车、轨道交通、智能电网、光伏、风电、储能、航空航天等产业领域。
第三代半导体可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，是轨道交通、新能源汽车、5G、人工智能、工业互联网等多个“新基建”产业的重要材料，可以降低50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减小75%以上。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：又一协议签约，致力于第三代半导体核心封装材料国产化替代
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