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12月20日,光谷宣布投资50亿元建设化合物半导体孵化加速及制造基地,选址湖北武汉九峰山实验室南面,建设研发办公楼、中试车间、洁净厂房、会议中心等孵化加速功能载体,及人才公寓等配套设施,明年开工,后年投用。作为总部园区,力争在3年内引育企业100家。

目前已有天工芯测检测中心项目、芯导传能等6个项目团队明确入驻意愿,洁净室厂房需求达1.7万平方米。

投资50亿元,光谷打造化合物半导体企业总部园区

化合物半导体孵化加速及制造基地项目效果图

总部园区由武汉高科集团投资建设,将借助九峰山实验室工艺产线和检测能力等资源,降低开发门槛、缩短开发周期,重点突破设计、设备、材料等产业链关键环节,完成创新链和产业链的对接。九峰山实验室是十大湖北实验室之一,已建成化合物半导体产业最先进、规模最大的科研及中试平台。

光谷积极谋划化合物半导体产业高质量发展,发布了九峰山科技园产业发展规划,以九峰山实验室为核心,规划建设九峰山科技园,构建设备、材料、设计、芯片、器件、模块、制造、封装、检测的全产业链体系,推动创新链、人才链、资金链和产业链深度融合发展,形成创新活跃、要素齐全、开放协同的产业生态,打造世界领先的化合物半导体产业高地。到2035年,九峰山科技园全面建成,形成完整化合物半导体全产业链。

除该项目外,围绕九峰山科技园及周边,还布局了化合物半导体学院,配套了未来商业广场、创新园等设施,可满足企业和员工工作生活需要。

化合物半导体指除单质半导体(如硅Si、锗Ge之外的半导体材料,主要分三类。一类主要的化合物半导体是由ⅢA与ⅤA元素组成,即Ⅲ-Ⅴ族化合物,包括:砷化镓(GaAs),磷化铟(InP),氮化镓(GaN)等。一类来自于ⅡB族与ⅥA族元素,被称为Ⅱ-Ⅵ族化合物,包括硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、碲化锌(ZnTe)等。另一类则是Ⅳ-Ⅳ族化合物,碳化硅(SiC),硅锗合金(SiGe)等。
化合物半导体具体应用可按具体材料分类:
GaAs,InP,GaN:光子集成电路、激光器、LED、光探测器、光伏器件等功率放大器(PA),LNA,射频开关滤波器,单片微波集成电路等;
GaN,SiC:肖特基势生二极管(SBD)、MOSFET、IGBT等。
来源:中国光谷、Tom聊芯片智造 公众号

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):投资50亿元,光谷打造化合物半导体企业总部园区