天岳先进在12月8日及15日，分别获得40家和8家机构调研，包括了QFII、基金公司、海外机构、证券公司、其他等多种机构，就碳化硅衬底行业产需情况、订单履约、未来发展等多方面进行了问答。资料显示，天岳先进成立于2010年，是国内领先的宽禁带半导体材料生产商，主要从事半绝缘型和导电型碳化硅半导体材料的研发、生产和销售，目前已经实现6英寸导电型衬底、4-6英寸半绝缘型衬底等产品的规模化供应。在8英寸产品布局上，2022年初，公司公布了自主扩径制备的高品质8英寸衬底，今年8月，天岳先进首席技术官高超博士宣布公司通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体，属于业内首创，代表了公司领先的技术实力。
2023年10月28日，天岳先进发布了三季度财报，前三季度营业收入8.25亿元，同比增长206.06%，归母净利润-0.68亿元，同比增长42.06%，营业收入和净利润双双增长，尤其是营业收入增长迅速，净利润亏损情况大幅收窄，业绩表现亮眼。单看第三季度，营业收入3.87亿元，同比增长255.89%，归母净利润0.04亿元，同比增长108.55%，扣非归母净利润-0.04亿元，同比增长94.45%，第三季度营收大幅增长的同时，盈利情况有所改善，归母净利润实现扭亏为盈。关于业绩超预期的原因，天岳先进表示，主要是因为下游市场需求旺盛，导电型产品产销量持续增加所致。据了解，天岳先进在2022年初就开始加大导电型碳化硅产品的产能，在产品结构调整过程中，因产线、设备调整等导致临时性产能下滑，当期业绩有所承压，随着济南工厂的产能的逐步调整，叠加上海临港工厂建设取得阶段性成果，截止今年三季度，公司已实现连续六个季度收入环比增长，随着产能持续爬坡，公司规模效应将逐渐显现，未来营收与利润有望持续改善。毛利率方面，今年第三季度公司毛利率为18.69%，环比增长8个百分点，同比增长30.37%，净利率为0.98%，环比增长18.90%，同比增长41.92%，毛利率和净利率改善明显，这主要也是受产品产能调整和公司整体销售情况等因素的影响。随着电动汽车、光伏储能等下游应用领域对碳化硅半导体材料需求的爆发式增长，天岳先进获得了多个大额订单。资料显示，2022年7月，天岳先进与客户E签订了13.93亿元的长期销售框架协议，向其提供导电型碳化硅衬底产品；今年8月，公司又与客户F签订导电型衬底的长期框架合同，合同金额超过8亿元，其中预付款即1亿元，两大合同合计销售金额达22亿元。天岳先进在调研中表示，目前我们与两家客户的合作都很顺利，已签署的订单均在按照约定执行，履约情况良好。 值得注意的是，2023年5月，天岳先进与英飞凌签订了一项新的衬底和晶棒供应协议，天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量碳化硅衬底和晶棒，第一阶段将侧重于150毫米碳化硅材料，后续将助力英飞凌向200毫米直径碳化硅晶圆过渡。英飞凌表示，该协议的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。为了能按时交付订单，天岳先进也在加快产能的扩张，天岳先进表示，2023年5月新建的上海临港智慧工厂开启了产品交付，目前正处于产量的持续爬坡阶段，根据目前公司在手订单及合作客户需求情况预计，临港工厂第一阶段年30万片导电型衬底的产能产量将提前实现，上海临港工厂将成为公司导电型碳化硅衬底主要生产基地。此外，公司正规划继续通过技术提升和增加资本投入以进一步提高公司的产能产量。
而就在2023年5月，临港新片区管理委员会对外公示《关于“天岳半导体碳化硅半导体材料项目（调整）”》，公司计划将产能扩产2.2倍，规划产能提升至96万片/年。目前，公司已有山东济南、上海临港、山东济宁三大碳化硅半导体材料生产基地，产能在持续增长。天岳先进表示，目前下游应用领域对碳化硅的需求保持强劲增长趋势，公司下游客户扩产规划明确，带动对公司产品需求的长期持续增长，公司将根据市场情况合理安排产能建设进度，抓住市场机遇，助力行业发展。从产业链上看，碳化硅衬底是关键环节，具有极高的技术难度，成本占比因此高达47%，天岳先进重视技术的迭代更新，持续加大研发投入，财报显示，天岳先进2022年研发费用1.28亿元，占比30.7%，而今年前三季度研发费用已达1.23亿元，同比增长140.90%，接近去年全年研发费用。在今年9月的第十二届中国知识产权年会上，天岳先进创始人宗艳民先生介绍到，截至目前，天岳先进已在碳化硅衬底领域取得国内专利494项，率先填补了我国在碳化硅衬底领域的知识产权空白，在碳化硅领域知识产权数量位列全国首位。同时，专利布局涵盖碳化硅制备的全工艺环节，其中海外专利13项，覆盖欧洲、日本、韩国以及台湾地区。公司知识产权规模位列世界前五。在调研中，天岳先进表示，公司主要生产设备长晶炉已实现国产化，其中热场设计、控制软件以及组装调试工作均是公司自己完成的，同时公司也在进行持续研发，是公司的核心技术之一。持续增长的研发投入，让天岳先进保持着技术领先的优势，包括对8英寸导电型产品的研究以及液相法等前瞻性技术做出全方位的布局。天岳先进表示，目前导电型碳化硅衬底仍以6英寸为主，国内外尚未实现8英寸衬底的大规模供应，公司在8英寸碳化硅衬底上已经具备量产能力，根据下游客户需求情况合理规划产品产销安排。对于碳化硅衬底的价格趋势，天岳先进表示，中短期来看，市场还是处于供不应求，衬底有效供给不足，价格端仍然处于相对稳定的状态。根据YOLE报告显示，长期来看，衬底价格会有所下降，技术的提升和规模化效应推动成本的下降，大尺寸新产品的推出也有助于单位成本的降低等。碳化硅衬底价格的下降是大势所趋，根据此前东尼电子公告披露的数据，2023年向客户交付6英寸碳化硅衬底单价为5000元/片，2024年MOS衬底价格为4750RMB/片，2025年MOS衬底价格为4510RMB/片；2024年SBD衬底价格为4275RMB/片，2025年SBD衬底价格为4060RMB/片。未来随着碳化硅衬底尺寸从6寸向8寸提升，技术进步持续优化良率以及相关生产切割、抛光工艺的升级，碳化硅衬底成本将显著下降，这也将有效降低器件价格，推动碳化硅功率器件市场渗透率的增长，在此之中，天岳先进凭借先进的技术以及规模化产能供应将获得优势。原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：天岳先进获近50家机构调研，规划产能提升至96万片/年
