乘着半导体行业快速发展的东风，芯片产业链的中游，即半导体制造过程中最重要也最复杂的环节，理所当然地成为了大家关注的焦点。该环节主要的工艺流程包括光刻、刻蚀、薄膜沉积等。投入巨大，进入门槛极高，很多关键设备由少数国际巨头把控，国产替代势在必行。
作为国内高端薄膜沉积设备的开创者与引领者，韫茂科技不断突破技术壁垒，专注于锂电池、光伏、Mini/Micro LED、先进光学、碳化硅、集成电路、超导材料和器件等前沿泛半导体及新能源薄膜沉积设备的研发与生产。目前已形成了以ALD原子层成膜系统、PVD物理气相沉积系统、CVD化学气相系统、Epitaxy外延炉等一系列薄膜沉积设备为核心的产品矩阵。公司目前已拥有各类专利技术近50项，入选国家级高新技术企业及厦门专精特新技术企业。
PBATCH批次等离子体ALD
•全自动、多片、大批量生产；
•批次等离子体ALD可为客户带来更多功能性薄膜选择；
•可提高ALD产能，降低客户使用成本，实现极致COO；
•可在光学薄膜沉积上实现设备国产化替代；
•工业标准安全互锁、报警、EMO。
KG生产型粉末ALD
•采用韫茂科技独有的ALD粉体技术；
•立式提料分散，配合底部进气方案，保证粉体与前驱体充分接触，有效提高包覆均匀性和高覆盖率；
•包覆大比表面积材料的厚度仅为传统方式的1/100，甚至1/1000；
•包覆材料品质优异，材料成分可实现原子层级别单相或多相设计；
•KG系列设备的样品装载量最大每批次可达百公斤，大幅降低生产制造成本；
•批次包覆均匀性＜±3%，精度可达原子级别；
•可提升量子点、锂电池、催化剂等的循环寿命、安全性以及耐温耐压性。
SICE Y6碳化硅外延CVD系统
•工艺稳定，可有效延长维护周期，降低使用成本；
•采用自有的进气喷嘴设计，提供高自由度的外延窗口；
•可有效改善既有外延掺杂均匀性不佳的问题；
•可大幅提升设备稼动率，从而提升元件良率，与客户达到双赢目标。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：国产化替代！韫茂科技全栈式薄膜沉积方案，加速国内芯片发展进程