近日,芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构(广电计量)全套AEC-Q101车规级可靠性认证。包括之前通过测试认证的650V/20A TO-252-3封装 SiC SBD产品在内,芯塔电子已有两款核心产品通过此项认证。本次认证成功通过,为芯塔电子拓展新能源车用市场奠定了坚实基础。目前,芯塔电子1200V/80mΩ SiC MOSFET在头部OBC企业通过测试,已进入批量导入阶段。

芯塔电子SiC MOSFET通过车规级认证,批量导入新能源汽车

芯塔电子1200V/80mΩTO-263-7封装器件及晶圆

AEC-Q作为国际通用的车规级电子元器件测试规范,目前已成为车用元器件质量与可靠性的标志,更是打开车载供应链的敲门砖和试金石。试验项目包含如高温反偏、温度循环、高加速应力、高温高湿反偏等18项测试,每项都是针对车用分立器件可能遭遇的环境来设计,用于验证电子元器件能否满足各种严苛的应用条件、能否经受住长期的高能量冲击和高频率开关。
芯塔电子SiC MOSFET通过车规级认证,批量导入新能源汽车

芯塔电子1200V/80mΩ SiC MOSFET车规级认证证书

随着新能源汽车800V高压平台的大规模上车,SiC器件凭借其自身性能优势进入了黄金赛道。芯塔电子针对新能源汽车车用场景推出了系列SiC应用方案,助力新能源车企实现超级快充、降低系统成本、增加续航里程以及实现轻量化等。

芯塔电子SiC MOSFET通过车规级认证,批量导入新能源汽车

图一 基于Si MOSFET的6.6kw OBC拓扑

图1为基于Si MOSFET器件的6.6KW传统电路拓扑,前一级DC/DC为两个BOOST PFC交错并联,后面一级DC/DC为LLC。图2为基于SiC MOSFET方案的电路拓扑。前一级DC/DC为单个单相Totem Pole PFC,后一级DC/DC为LLC。

芯塔电子SiC MOSFET通过车规级认证,批量导入新能源汽车

图二 基于SiC MOSFET的6.6kw OBC拓扑

对应前一级的PFC电路,如果使用Si器件,开关损耗高、功率器件温度高,因此单个单向PFC电路功率有限,需要两路PFC交错并联来扩展功率。在后一级LLC电路中,如果使用低压Si MOSFET作为同步整流,无法支持高电池电压(1000V)充电,而使用1200V SiC MOSFET则可以支持高压电池充电。另外,SiC MOSFET体二极管反向恢复损耗远低于Si MOSFET, 非常适合用于V2G功能的OBC。不仅如此,SiC MOSFET使用还有助于提高OBC效率和功率密度。

来源:芯塔电子公众号

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):芯塔电子SiC MOSFET通过车规级认证,批量导入新能源汽车

作者 li, meiyong