2022年4月14日,世芯电子宣布其先进FinFET(先进鳍式场效晶体管)的技术组合成功完成在台积电7/6/5奈米的投片。除了先进 FinFET的技术组合,世芯的ASIC整体设计解决方案更是涵盖了全方位一流的IP种类和先进封装技术。世芯在7/6/5奈米的ASIC设计上能特别专注于具有数十亿逻辑门数的超大规模/尺寸IC设计。这些先进的IC主要用于人工智能、高效能运算、网络及储存应用等领域。

 

世芯电子:先进FinFET技术完成在台积电7/6/5奈米的投片

 

拥有一套经过自身验证的芯片设计流程和法则,是世芯成功的关键。它不仅能优化功耗、性能和面积的设计,同时还能符合客户严格的投片计划要求。世芯完整的7/6/5奈米设计能力包括大规模芯片设计里必要的分区和签核、测试设计流程,以及一套涵盖了全面系统协同设计签核的中介层/基板设计的完整2.5D封装设计流程。

 

世芯的创新封装服务也涵盖信号/电源仿真及热模拟(SI/PI),能提供即插即用的投片后解决方案,以减少基板层和由此产生的材料成本。这样产生的7/6/5奈米IC具有更精确的功率和热估算流程,能避免投片后的失败,在高功率设计中尤其关键。

 

世芯完整的5奈米设计到交付方法侧重于最大限度地缩短设计周期。其中的实体设计像是芯粒(Chiplet)技术平台、高效能运算IP组合含世芯的D2D APLink IP、IP子系统集成服务,以及最新的2.5D异构封装技术等。

 

世芯电子总经理沈翔霖表示:“世芯的优势一直是先进制程芯片设计,在7奈米系统芯片项目的设计投片量产上,我们与客户再次合作并取得了100%的投片成功率。我们的设计和验证法则乃经过严格认证,亦源于我们企业文化一贯秉持的核心服务理念。”

 

来源:世芯电子

 

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):世芯电子:先进FinFET技术完成在台积电7/6/5奈米的投片

作者 li, meiyong