英飞凌拟投资超过 20 亿欧元在马来西亚扩大宽带隙半导体制造能力

英飞凌正在通过在宽带隙（SiC 和 GaN）半导体领域增加制造能力来加强其在功率半导体领域的市场领导地位。该公司正在投资超过 20 亿欧元在其位于马来西亚居林的工厂建造第三个模块。一旦配备齐全，新模块将通过基于碳化硅和氮化镓的产品产生 20 亿欧元的额外年收入。

英飞凌首席运营官 Jochen Hanebeck 表示：”创新技术和绿色电能的使用是减少碳排放的关键。可再生能源和电动汽车是功率半导体需求强劲且可持续增长的主要驱动力，我们的 SiC 和 GaN 产能的扩展正在为英飞凌加速宽带隙市场做好准备。我们正在将我们位于菲拉赫的研发中心和位于居林的具有成本效益的宽带隙功率半导体生产结合起来。”

英飞凌目前已向 3000 多家客户提供基于 SiC 的产品。这些半导体用于各种应用，与基于硅的解决方案相比，在效率、尺寸和成本方面具有更好的系统性能，因此可为客户提供附加价值。英飞凌的战略”产品到系统”方法还有助于采用具有领先基础技术、最广泛的产品和封装组合以及无与伦比的应用知识的基于 SiC 的半导体。重点应用是工业电源、光伏、交通、驱动、汽车和电动汽车充电。

英飞凌的目标是到本世纪中期通过基于 SiC 的功率半导体实现 10 亿美元的收入。根据Yole数据 ，GaN 市场也预计将经历巨大的增长——从 2020 年的 4700 万美元增长到 2025 年的 8.01 亿美元，复合年增长率：76%。英飞凌拥有领先的系统和应用理解、广泛的 GaN IP 产品组合和庞大的研发力量。

一旦满载，居林 3 号将创造 900 个高价值工作岗位。建设将于 6 月开始，晶圆厂将于 2024 年夏季准备好设备。第一批晶圆将于 2024 年下半年出货。对居林的投资将包括重要的增值步骤，特别是外延工艺和晶圆单片化。

未来几年，菲拉赫工厂将通过改造现有的硅设施，继续作为宽带隙技术的创新基地和全球能力中心。6″ 和 8″ 号硅产线将通过重新利用非特定硅设备转换为 SiC 和 GaN 制造。菲拉赫工厂目前正在为进一步的增长机会做准备。

原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：英飞凌拟投资超过 20 亿欧元在马来西亚扩大宽带隙半导体制造能力