国产之光，中电科二所SiC激光剥离设备取得关键突破

近日，据太原日报报道，中国电子科技集团第二研究所（以下简称“中电科二所”）在SiC激光剥离设备研究方面取得了突破性进展（https://www.ab-sm.com/）。

“目前，科研团队已掌握激光剥离技术原理与工艺基础，并利用自主搭建的实验测试平台，结合特殊光学设计、光束整形、多因素耦合剥离等核心技术，实现了小尺寸SiC(碳化硅)单晶片的激光剥离。”中国电子科技集团第二研究所(以下简称“中电科二所”)近日传来好消息，在SiC激光剥离设备研制方面，取得了突破性进展。

图源自II-VI

碳化硅SiC材料硬度与金刚石相近，现有的加工工艺切割速度慢、晶体与切割线损耗大，成本较高，导致材料价格高昂，限制了SiC半导体器件的广泛应用。

激光垂直改质剥离设备被誉为“第三代半导体中的光刻机”，其创新性地利用光学非线性效应，使激光穿透晶体，在晶体内部发生一系列物理化学反应，最终实现晶片的剥离。这种激光剥离几乎能避免常规的多线切割技术导致的材料损耗，从而在等量原料的情况下提升SiC衬底产量。此外，激光剥离技术还可应用于器件晶圆的减薄过程，实现被剥离晶片的二次利用。

目前，中电科二所团队已掌握激光剥离技术原理与工艺基础，并利用自主搭建的实验测试平台，结合特殊光学设计、光束整形、多因素耦合剥离等核心技术，实现了小尺寸SiC单晶片的激光剥离。现已通过专家论证，正式立项启动，下一步将聚焦激光剥离技术的实用化与工程化。

2019年，中电科二所投资50亿元加码SiC领域，拟建设用地约1000亩的中国电科（山西）电子信息科技创新产业园，计划用5年时间，建成“一中心三基地”，即：中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科（山西）三代半导体技术创新中心、中国电科（山西）光伏新能源产业基地。