芯片性能的极限，往往卡在“散热”上。当传统散热路径逼近物理极限，化合积电聚焦超高导热金刚石材料技术创新，深耕从晶圆级到封装级的全新技术方案，推动芯片散热开启一场“焕芯”革命。近期，化合积电推出4inch/6inch/8inch 金刚石厚度小于1μm的超薄硅基金刚石技术，同时将自支撑金刚石衬底厚度进一步突破至5–25μm，在大尺寸、低成本方向上持续创新。这一系列突破，正不断拓宽金刚石应用边界，开启热管理的全新应用空间。
超薄-硅基金刚石薄膜
基于深厚的MPCVD技术积淀，化合积电实现了在4inch/6inch/8inch硅衬底上直接生长厚度小于1微米的多晶金刚石薄膜，并保持极高的热导率。这意味着散热层可在晶圆制造阶段直接“长”在芯片表面，成为器件的近结热扩散层，热量在产生瞬间即被横向铺开，从源头抑制温升。更关键的是，整个工艺完全兼容现有硅片制程，无需颠覆产线，即可快速导入这一散热能力，高效化解射频、功率器件等的散热难题。
△ 6inch 硅基金刚石薄膜（金刚石厚度0.5um)
超薄-自支撑金刚石柔性膜
在独立自支撑金刚石膜方向，化合积电同样取得关键突破。团队成功制备出厚度小于25微米、膜厚均匀、热导率高且表面光滑的自支撑膜，较行业通行的50微米厚度大幅减薄。该薄膜支持激光切割与尺寸定制，同时具备宏观柔性，彻底摆脱了对胶布或硬质载板的依赖，可与晶圆级封装、3D堆叠等先进后道工艺无缝衔接，由此开创了封装级散热的全新方案。在柔性器件散热、高频器件绝缘导热、光电器件基底以及大功率芯片热管理等核心应用场景中，展现出极强的技术竞争力与市场适配性。
△ 样品图
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