随着 1.6T 超高速光模块技术迭代加速，高频、高温、高稳定、小型化已成为核心刚需。面对 110GHz 超高频段信号传输、严苛高温工况、高密度集成布局等行业痛点，郎矽科技（Launchip ）重磅推出01005 尺寸、10nF、耐压 11V的 3D 深槽结构硅电容器，专为下一代 1.6T 超高速光模块量身打造，以硬核性能破解高速光通信元器件选型难题！
适配1.6T光模块超高带宽需求。
1.6T 超高速光模块需承载超100GHz高频信号传输，普通电容在超高频率下易出现插损飙升、信号衰减、阻抗波动等问题，直接影响模块传输速率与稳定性。
本次新品采用独家 3D 深槽硅电容结构，经实测验证：
✅ 0–110GHz 全频段内插损＜0.3dB
✅ S21 曲线全程平稳，无明显信号衰减
完美匹配 1.6T 光模块超高速信号链路，保障高频信号无损传输，为超大带宽数据交互筑牢硬件基础
针对 1.6T 光模块高密度集成、高温工作、电压波动、长期可靠性等核心痛点，产品实现性能全面拉满：
🔥 超强高温稳定性
可耐受最高 150℃ 工作温度，适配光模块长时间高负载发热工况。
⚡ 超低漏电精准可靠
漏电流＜1nA@RVDC，容量电压系数＜0.1%/V，容值几乎不受偏置电压、温度漂移影响，杜绝高速链路中电压波动导致的性能异常。
🔋 零老化容值损耗
长期使用下因老化产生的容值衰减可忽略不计，保障 1.6T 光模块长期稳定运行。
📦 极致小型化集成
标准厚度仅100μm，01005 超小封装，适配 1.6T 光模块高密度 PCB 布局，大幅节省内部空间，助力模块小型化、轻量化升级。
当前 1.6T 超高速光模块是 800G 之后光通信行业的核心升级方向，广泛应用于AI 算力中心、高速数据中心、骨干网传输等场景，对配套元器件的高频特性、尺寸、可靠性要求严苛。Launchip 这款01005/10nF/11V 硅电容，凭借110GHz 超宽频稳定、耐高温、小型化、低损耗核心优势，可精准用于 1.6T 光模块电源滤波、信号耦合、高频旁路等关键电路，解决高速场景下电容选型难、性能不达标痛点，助力客户快速推进 1.6T 光模块产品研发与量产落地。
从 800G 迈向 1.6T，光通信产业正在开启新一轮技术跃迁。Launchip 持续深耕硅基无源器件研发，以 3D 深槽核心技术打造高频高性能电容产品，精准匹配下一代高速光通信场景需求。
本次01005 10nF/11V 硅电容全新首发，可为 1.6T 超高速光模块提供稳定、可靠、小型化、高频化的元器件解决方案，助力客户抢占高速光通信市场先机！
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