3月26日，晶曜盛巳（宁波）半导体有限公司在宁波前湾新区数字经济产业园二期正式运营。作为国内最早布局氮化铝（AIN）单晶材料研发与产业化的企业之一，依托团队15年的深耕细作，晶曜盛巳半导体已成长为第四代半导体关键战略材料领域的重要创新力量。
氮化铝单晶作为第四代半导体战略级衬底，具有超宽禁带、极高击穿场强、优异热导率与高温稳定性等核心优势，是支撑极端射频、高温功率电子、紫外光电探测器件等前沿领域的关键材料。在军、民用雷达、航天高温电子、深紫外光电子、先进功率器件、5G/6G通信、新能源汽车等领域，具有不可替代的战略价值。
晶曜盛巳半导体核心研发团队汇聚了行业顶尖科研力量，成员来自科研院所重点实验室和行业龙头企业，累计深耕氮化铝等半导体单晶生长领域超过10年，拥有深厚的技术积淀和丰富的产业经验。
晶曜盛巳项目一期发展阶段将投入10-15台设备，预计今年5月份正式投产，可量产5000片衬底，年产值达1.25亿元；到2027年底二期发展阶段，设备将增至20-30台，年产量将稳定至12000片，达到国际领先水平，年产值将突破3亿元。
来源：宁波前湾新区发布