精密陶瓷如何实现高质量烧结？设备至关重要！

该装备用于氮化硅陶瓷基片、轴承球、球阀阀体、热电偶保护套等零部件的烧结工艺，含多种压力等级。

技术参数：

• 最高工作温度（℃）：1900；

• 极限真空度（Pa）：1；

• 温度均匀性（℃）：≤±5；

• 压升率（Pa/h）：3。

该设备广泛应用于各类陶瓷、合金，及复合材料的高致密化烧结。设备尺寸可非标定制，压头材料为石墨或者TZM可选，加压方式可采用上下压头单向加压或双向加压。

技术参数：

• 最高工作温度（℃）：2200；

• 温度均匀性（℃）：≤±5；

• 极限真空度（Pa）：1×10⁻³

• 压力范围（T）：10–800。

该设备为氮气气氛烧结炉，在制备氮化铝等氮化物材料中有着广泛应用。

技术参数：

• 最高工作温度（℃）：1900；

• 极限真空度（Pa）：1；

• 温度均匀性（℃）：≤±5；

• 压升率（Pa/h）：3。

该设备为制备反应烧结碳化硅陶瓷的真空烧结炉。

技术参数：

• 最高工作温度（℃）：1800；

• 温度均匀性（℃）：≤±5；

• 极限真空度（Pa）：1；

• 压升率（Pa/h）：3。

该系统采用瑞德尔先进的超高速冷却技术，通过风机和热交换器，使设备在烧结温度下即可开启快速冷却程序，并可大幅降低炉温冷却时间（从1400℃到100℃仅需22分钟），从而提高硬质合金刀片的表面性能，同时能够提高生产效率。

技术参数：

• 有效空间（L）：50–450；

• 最高工作温度（℃）：1800；

• 温度均匀性（℃）：≤±5；

• 极限真空度（Pa）：≤1；

• 压升率（Pa/h）：≤3；

• 脱蜡率：≥98%。

该设备可针对各类工具或模具涂覆 TiC、TiN、TiCN、Al₂O₃ 硬质化薄膜材料。

CVD 涂层与基体结合强度高，附着力强，均匀性好，形状复杂的工件也可得到均匀的镀层，薄膜厚度可达 5–20 μm。

反应室筒体采用高温合金离心铸造技术，可极大减少变形量，使用寿命可达 200 炉次以上。

设备配有双反应室，经济高效，维护成本低，安全环保，可灵活满足未来不断提升的 CVD 工艺需求。