据武汉日报消息，湖北江城实验室近日在应用于先进计算芯片的高密度片上电容关键技术上取得重大突破，成功研制氧化硅介质基三维多层通孔电容结构，并配套研发高精度自研仿真解析模型，多项核心性能达到国际先进水平。目前正在开展工艺流片及小批量试产，有望1年内在3D封装领域实现落地应用。
研发团队依托成熟的硅基工艺，在硅片内部刻蚀出微米级别的高深微孔，随后利用专业设备，在微孔内壁分层交替沉积高介电常数介质材料与金属电极，打造出无数微型同轴电容单元。经多轮严苛测试，该三维片上电容密度突破每平方毫米1000纳法，相较于市面上被称为“电子工业大米”的商用积层陶瓷电容器，稳压性能提升百倍以上，从行业横向对比来看，该技术核心参数对标头部科研机构和企业，综合性能跻身全球第一梯队。
研发团队自主研发专属解析模型，首次融入通孔同轴传输效应与高频动态特性，将复杂的电磁仿真运算简化为代数方程，计算效率提升数百倍，单次仿真仅需数分钟，且最大误差稳定控制在5%以内，既填补国内技术空白，也为行业提供高效低成本的全新设计方案。江城实验室实现从材料、结构、模型到工艺全自主创新，打破海外工艺与IP壁垒，补齐我国高端芯片无源器件领域的短板。
江城实验室依托省级重大科技专项、关键核心技术攻关项目的专项资金支持，目前已完成核心模型搭建与中试验证，正稳步推进商用落地。
来源：湖北日报，https://epaper.hubeidaily.net/pc/content/202606/03/content_349683.html