2026 年 5 月 27 日，全球电子设计与制造服务领先厂商环旭电子（USI）今日宣布，其在新一代功率解决方案领域研发的先进功率半导体封装技术取得重大突破。依托出色的基板与模组整合能力，环旭电子成功将碳化硅（SiC）芯片预埋在多层 ABF 基板中，并创新采用单面露铜（SSC）模组封装技术，让行业通用功率封装结构可集成陶瓷绝缘基板与无线键合工艺。
这项创新设计为内置绝缘功率分立器件带来关键技术革新，封装本体具备优异的电气绝缘性能，同时拥有低杂散电感、极低导通阻抗的特性。针对市场对高效率、强散热、高功率密度的迫切需求，环旭电子的芯片预埋封装技术对比传统封装方案，可大幅降低导通损耗、减少热量积聚，提升设备长期运行的可靠性。封装内部集成陶瓷基板，本身即可实现稳定绝缘，无需额外搭配外部绝缘材料；搭配创新无线键合工艺，薄型封装结构可搭载更大尺寸芯片，进一步提升功率密度，助力高集成度系统设计落地。
“功率技术平台正持续向高效率、高功率密度方向发展，先进封装技术对提升整体系统性能的作用愈发关键。” 环旭电子新产品导入中心资深处长陈治宇表示，“我们在通用功率封装中融合 SiC/GaN 芯片预埋基板、陶瓷绝缘基板及无线键合工艺，打造出新一代轻薄、高效、高可靠的功率封装方案，并积极拓展至电动汽车、AI 数据中心、人形机器人等多个应用领域。”
环旭电子表示，低杂散电感、低导通阻抗与优异散热性能形成协同优势，大幅提升能源转换效率与产品可靠性。此次技术突破，将助力汽车、工业领域加速迈向更高能效的新一代电气化平台。
除功率模组产品外，环旭电子还提供从设计到量产的一站式汽车动力系统服务，涵盖高密度 400V/800V 逆变器系统、智能电池断电单元（iBDU），以及集成车载充电机（OBC）与直流转换器（DCDC）的多合一系统方案。凭借专业工程技术、电路板组装及系统集成能力，为客户提供从产品研发到规模化量产的全流程解决方案。
原文链接：https://www.prnewswire.com/apac/zh/news-releases/-pcim-europe-2026--302781427.html
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