TR组件主要承担三大核心功能：
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发射通道：将系统产生的小功率高频信号放大至足够强度，再经天线单元辐射出去。
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接收通道：对天线接收到的微弱信号进行低噪声放大，以便后续处理系统有效识别。
- 相位与幅度控制：这是实现“相控阵”功能的核心，其中：
相位控制：通过移相器调整信号相位，使各天线单元发射的波在特定方向同相叠加，形成主波束，并实现快速、无惯性的电子扫描；
幅度控制：借助衰减器调节信号幅度，用于抑制旁瓣或形成特定波束形状（如余割平方波束）。
可以说，TR组件是有源相控阵系统的基石。它集成功率放大、低噪声放大、相位与幅度调控等多种功能于一体，通过大规模、高密度集成，赋予系统快速、灵活、可靠的波束扫描与强大电子战能力，是现代雷达与高端通信系统的关键技术。
二、TR组件的主流封装技术
1. 金属腔体封装
作为早期及大功率TR组件的常用方案，属于混合集成电路范畴。在金属（如可伐合金、铝合金）加工的腔体底座上，通过粘接或烧结安装芯片（如GaN功率放大器、GaAs低噪声放大器等），再利用金丝键合实现芯片与传输线之间的互连。
优点：
- 散热性能优异，便于连接外部散热系统；
- 电磁屏蔽效果好；
- 功率容量大，适合高功率场景；
- 技术成熟，可靠性高。
缺点：
- 体积与重量较大，难以满足高集成与轻薄化需求；
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组装成本偏高，依赖人工或半自动工艺。
2. 陶瓷SiP封装
SiP（System-in-Package）系统级封装，基于氧化铝、氮化铝等陶瓷材料，通过激光打孔、金属浆料印刷、叠层共烧（LTCC低温共烧或HTCC高温共烧）等工艺，形成三维电路结构。芯片贴装后采用引线键合或倒装焊，最后进行气密封装。
优点：
- 集成度高，可内置无源器件，显著缩小体积；
- 高频性能优良，介质损耗低；
- 热稳定性与机械强度好；
- 气密封装，可靠性高。
缺点：
- 材料收缩率控制难度大，限制图形精度。
砖块式架构：TR组件垂直插装，散热直接、技术成熟，但剖面高，难以共形。
瓦片式架构：TR组件平铺安装，剖面极低、重量轻，适合共形天线，但对散热与集成提出更高要求。
共形天线作为天线技术的前沿方向，将天线与载体结构融为一体，以优化性能、隐身性与平台适配性。尽管技术与成本挑战仍存，它无疑是未来高端军事平台与通信系统的关键技术，而“瓦片式”架构与SiP封装正是其实现基础。
硅基微系统的优势显著：
- 集成密度极高，支持GaAs、GaN、CMOS等多工艺芯片异构集成；
- 射频性能优异，TSV与RDL寄生参数小；
- 尺寸轻薄，是“瓦片式”架构的理想选择；
- 具备批量化、低成本潜力。
然而，硅基微系统的高研发成本是行业共同挑战，尤其是在产品打样初期，TSV工艺良率、晶圆键合及异构集成设计等方面都成为了客户涉足先进封装的门槛。
集迈科微电子凭借多年工艺积累，已在关键环节取得突破，形成面向工程的完整解决方案：
1. 稳健的微系统工艺平台
公司拥有完整的TSV转接板工艺线，覆盖光刻、薄膜沉积、刻蚀、电镀、CMP及晶圆键合等核心工序。通过精确控制工艺参数，确保TSV、RDL等结构的高良率与长期可靠。
2. 完善的微组装工艺平台
公司建立了从晶圆处理到成品封装的全流程产线，涵盖晶圆减薄与划片、芯片贴装、引线键合、SMT、气密封装及植球等环节，致力于在复杂集成环境中保障产品的长期可靠与批次一致。
3. 面向封装的协同设计平台
公司提供设计与工艺协同优化服务，在设计阶段即介入，提供精准PDK库、工艺设计规则与热管理方案，从源头降低制造风险，提升产品成功率与性能。
基于上述能力，公司可为客户提供以下支持：
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加速原理样机开发：提供标准化硅基微系统设计套件与拼版光罩方案，大幅缩短初样开发周期与前期投入，助力客户快速完成系统验证与性能评估。
- 支持平滑量产过渡：工艺以量产为导向。原型验证通过后，可借助半导体工艺进行规模放大，依托高一致性与良品率控制，有效降低单件成本，满足客户从试产至批量部署的全阶段需求。
集迈科微电子致力于为客户提供稳定、可靠、高性价比的制造服务，协同客户将前沿封装设计快速转化为具备市场竞争力的尖端产品。
文章来源：集迈科公众号；https://mp.weixin.qq.com/s/gB3zEkZYc4z6ikRBAXEbpw。
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