日本产业技术综合研究所(AIST)下属企业EDP株式会社于9月26日宣布,成功实现高浓度硼掺杂金刚石基板的大尺寸化,并已上市。

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图 RB10102PP:低电阻基板10x10x0.2mm双面抛光;RB13R2PP**:低电阻最小晶圆

金刚石半导体具有优于SiC和GaN的特性,全球范围内正在推进开发。EDP在2023年8月发布了掺杂高浓度硼的金刚石,推出了两种类型的金刚石基板:低电阻自支撑金刚石基板,常规基板上形成薄膜的外延生长基板。然而,之前推出的基板尺寸为7mm×7mm,无法满足大型功率器件开发或在单一基板上制造多个器件的需求。EDP于去年11月开发了15x15mm的单晶,并开始作为种晶和基板进行销售。此次,利用这一单晶,成功扩大了低电阻基板的面积并实现了商品化。高浓度硼掺杂低电阻大尺寸自支撑基板产品尺寸包括10x10x0.2mm、13x13x0.2mm、12.5φx0.2mm等规格。基本特性与2023年8月产品化的低电阻钻石基板相同。

作者 gan, lanjie