近日据瞻芯电子官微消息,基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品(IV3Q12013T4Z)通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证;同时,瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产,后续将依托浙江义乌的车规级碳化硅(SiC)晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。

瞻芯电子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET,现有3款产品:IV3Q12013T4ZIV3Q12013BAIV3Q12013BD主要用于车载电驱动系统,凭借出色的性能表现,已获得多家车载电驱动客户的项目定点。
1200V 13.5mΩ ,瞻芯电子第三代SiC产品正式量产
瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET特性
第三代1200V SiC MOSFET仍为平面栅型MOSFET,相比第二代工艺,元胞的Pitch缩小了超过20%。
同时在核心指标上,第三代产品在保证器件的耐压和短路能力的前提下,将比导通电阻Rsp降低至2.5mΩ*cm²达到国际第一梯队的水平。同时,第三代产品的开关损耗,对比第二代产品进一步降低30%以上。
而且,第三代产品的导通电阻Rds(on)的温度系数明显降低,在高温运行情况下,导通电阻增加较少。如下图所示,当Vgs=15V应用时,175°C时的Rds(on)对比25°C时的Rds(on)只有1.42倍;当Vgs=18V应用时,175°C时的Rds(on)对比25°C时的Rds(on)只有1.65倍。
1200V 13.5mΩ ,瞻芯电子第三代SiC产品正式量产
1200V 13.5mΩ ,瞻芯电子第三代SiC产品正式量产
在可靠性方面,首款产品IV3Q12013T4Z不仅按照AEC-Q101标准完成了三批次可靠性认证,获得车规级可靠性认证证书,而且通过了更严格的Beyond-AECQ可靠性考核,包括动态可靠性(D-HTRB,D-H3TRBAC-BTI),栅极负偏压下的HTRB
来源:瞻芯电子官微

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):1200V 13.5mΩ ,瞻芯电子第三代SiC产品正式量产

作者 li, meiyong

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