南砂晶圆8英寸SiC扩产基地项目正式备案

1月30日，据比地招标网消息，南砂晶圆100%控股子公司中晶芯源的8英寸碳化硅单晶和衬底产业化项目正式备案。

根据山东新闻联播报道内容，该项目于2023年6月12日落地山东济南。南砂晶圆济南扩产基地负责人李树强表示：“技术团队主要核心力量还是山东大学，计划在2025年满产达产，届时预计产值达到50亿元以上。”

中晶芯源是南砂晶圆100%控股子公司，成立于2023年，是该项目扩产基地的主建方。

南砂晶圆成立于2018年9月，是一家从事碳化硅单晶材料研发、生产和销售三位一体的国家高新技术企业，注册资本2.81亿元。公司产品主要以6英寸半绝缘和N型碳化硅衬底为主。

南砂晶圆联合山东大学于2022年9月8日成功实现8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底的制备，采用物理气相传输法（PVT）扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶，并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。

图源：南砂晶圆官网

经测试表征，衬底微管密度小于0.3/cm2，4H-SiC晶型比例100%，电阻率平均值22mΩ•cm，不均匀性小于4%，衬底(004)面高分辨XRD 5点摇摆曲线半峰宽平均值32.7弧秒，说明衬底具有良好的结晶质量，边缘扩径区域没有小角度晶界缺陷。

作为第三代半导体，碳化硅是芯片制造的基础材料之一，在国防建设、航空航天、新能源汽车、5G通讯等领域都有广阔应用前景。芯片面积8英寸的比6英寸的大1.8倍，那么芯片个数比6英寸还多1.8倍，降低了成本。

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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：南砂晶圆8英寸SiC扩产基地项目正式备案