近日中建一局中标武汉长飞第三代半导体功率器件生产项目助力武汉打造集成电路芯片和半导体产业高地 △项目效果图 项目位于武汉市东湖高新区建筑总面积约25.15万平方米建设内容包括厂房、综合楼等建成后将打造从外延生长、器件设计晶圆制造到模块封测的全产业链能力预计年产6英寸碳化硅MOSFET及晶圆36万片功率器件模块6100万个广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域 △项目总平图 该项目是响应国家“创新驱动发展战略”的重大举措建成后将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地推动长飞先进半导体成为中国第三代半导体产业领头羊助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地为高科技产业新升级贡献央企力量 来源：中建一局公众号原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：中标！打造国内最大的SiC功率半导体制造基地 文章导航骄成超声硬核科技再迎突破，新一代铜线键合机正式“亮剑” 103亿元！青岛180万片12寸晶圆封测项目开工
