
1. 气氛炉

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温度:1500℃  - 
电力:240KW
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气氛:大气、N2、N2+H2、O2
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发热体:EREMA、MoSi2  
2. 氢气气氛炉

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温度:1800℃  - 
电力:200KW
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气氛:H2(100%)
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发热体:Mo  
3. 石墨炉

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温度:2300℃  - 
电力:55KW
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气氛:N2
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发热体:石墨  

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温度:max2400℃  - 
湿度分布精度:R10
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压力:1Mpa
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气氛:N2环境,氧含量小于100ppm
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发热体:石墨  

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温度:2300℃  - 
电力:55KW
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湿度分布精度:R10
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压力:微正压
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气氛:N2环境,氧含量小于100ppm
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发热体:石墨  

设备用途:
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氧化铝基座的排胶、烧成;
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PTC的烧成;压电陶瓷的排胶、烧成;
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环形压敏电阻的排胶、烧成;
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MLCC-Ni基片的烧成;
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电子粉体的烧成;
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氧化铝陶瓷基板的烧成;
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Mn-Zn铁氧体陶瓷的排胶、烧成;Ni-Zn铁氧体陶瓷的烧成;Mn-Zn基片的排胶、烧成;荧光粉的烧成;锂电池
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粉体材料的烧成;
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电池负极材料的烧成;磷酸铁锂的烧成。
 
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适用于大批量生产,从原料预烧到陶瓷产品的烧成,工艺稳定,一致性好。
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温度控制方式为晶闸管自动电压调整,具有软起动、软关断、恒流/恒压、 限流及过流保护等功能。
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实现全自动回转运行、采用PLC控制、产品运行可靠。
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可根据产品在不同气氛条件下、各温度段,分别进行控制和调节。
 
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最高温度:500 ℃ - 1650℃(可定制)
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炉膛有效尺寸:L31000×W680×H160mm(可定制);炉膛气氛:N2/N.H混合(加湿气体)
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加热元件:Cr20Ni80 SiC(可定制)/钼丝  

7. 箱式炉(HTCC,氧化铝)

主要应用于HTCC基板、管壳、SMD等陶瓷材料在氮气+氢气(干/湿)气氛下的排胶、烧结工艺实现及产品生产。
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最高温度:1700℃,常用温度:1650℃;
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炉膛有效尺寸:260×260×260(L×W×H)mm;
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炉内气氛:氢气+氮气,氢气比例13%~55%可调,气氛控制采用质量流量计(MFC)自动调节,氮气流量控制范围:0-200L/min,氢气流量控制范围:0-100L/min;可加湿;
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加热方式:钼丝  

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型号:MT-V5080G
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出料方式:立式下出料
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均温区:Φ500 x H800mm(料架10层/H70mm)(Rack10div/H70mm)
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使用温度:1850℃~2050℃
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保护气体:真空/氢气/氮气(氮氨混合)
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极限真空:2000pa
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压升率:0.5pa/h
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热场材料:钨钼/进口碳素
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用途:氮化铝/氧化铝陶瓷烧结、晶体退火等。
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标准规格:Φ350*H350 Φ450*H350 Φ500*H800  
推荐活动:【邀请函】第七届陶瓷封装产业论坛(11月30日 苏州)

原文始发于微信公众号(艾邦陶瓷展):苏州锦业源自动化设备有限公司将参加第七届陶瓷封装产业论坛并做展台展示
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