陶瓷电容器可分为单层陶瓷电容器（SLCC）和多层瓷介电容器（MLCC），其中 MLCC 的市场规模占整个陶瓷电容器的 90%以上。
MLCC
Multi-layer Ceramic Capacitors，多层瓷介电容器，业界常指片式多层瓷介电容器，片式多层陶瓷电容器，标准上称多层片式瓷介电容器。是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），形成一个类似独石的结构体，也被称为独石电容器。MLCC 一般用于噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路等，在大规模集成电路方面应用广泛。以不同介质材料对MLCC进行区分， MLCC 按材料分为 C0G(NP0)、X5R、X7R、Z5U、Y5V 等。
COG
代表温度系数为在-55℃至+125℃，其容量变化率为±30ppm；C0G电容器具有高温度补偿特性，适合作旁路电容和耦合电容
X5R
代表温度系数为在-55℃至+85℃，其容量变化率为 ±15%；X5R电容器是温度稳定型陶瓷电容器，适合要求不高的工业应用
X7R
代表温度系数为在-55℃至+125℃，其容量变化率为±15%；X7R电容器是温度稳定型陶瓷电容器，适合要求不高的工业应用
Y5V
代表温度系数为在 -30℃至+85℃，其容量变化率为-80%/+20%；Y5V电容器温度特性最差，但容量大，可取代低容铝电解电容
电容器
由两片接近并相互绝缘的导体制成的电极组成的储存电荷和电能的元件
芯片
多层片式瓷介电容器，作为原材料用于生产有可靠性特殊要求的多层片式瓷介电容器、有引线多层瓷介电容器、金属支架多层瓷介电容器时被称为芯片
陶瓷介质膜片
利用流延成形技术或其他技术制备的坯片，经干燥烧结后的陶瓷介质层，是MLCC的组成部分
MLCC 配方粉、配方粉、瓷粉
在钛酸钡粉体中添加改性添加剂后形成的电子陶瓷粉体材料，可直接用作 MLCC 中的电介质
I类介电瓷粉
专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器用介质材料。例如COG
II类介电瓷粉
适用于做旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器用介质材料，例如X5R、X7R、Z5U、Y5V等。
钛酸钡粉（BaTiO3）、基础粉、BT 粉
钛酸钡粉是一种强介电材料，是电子陶瓷元器件行业的重要基础原料，被誉为"电子陶瓷工业的支柱"。高纯度、纳米级钛酸钡粉体主要用于介质陶瓷、敏感陶瓷的制造，如 MLCC、PTC 热敏电阻器件等。
添加剂、改性添加剂
高纯度、纳米级钛酸钡粉体在常温下介质损耗较大，不宜直接用于制造陶瓷电容器，还需要掺入其他材料来对钛酸钡粉体进行改性，这些添加的材料被称为添加剂或改性添加剂
内电极
通过交替分布又互不相连的方式与相邻的电介质层组成基本单元电容的电极层，是MLCC的组成部分
外部电极
外电极、端电极，将多个基本单元电容的内电极链接，形成串联或并联方式，实现器件功能的点击，是MLCC的组成部分
电极浆料
电极浆料又称导电浆料，是金属粉、玻璃粉和合成树脂的混合物，用于制作MLCC的内电极和外电极
PME
Precious Metal Electrode，MLCC 的内电极金属为贵金属（纯钯或纯银或钯银合金）
BME
Base Metal Electrode，MLCC 的内电极金属为贱金属（镍或铜）
贱金属
业界主要指镍或铜
SMT
表面组装技术（Surface Mounted Technology的缩写），是目前电子组装行业里最流行的一种技术和工艺
电容量
表征电容器容纳电荷本领的物理量。极板的距离、极板的面积和介质材料的介电常数是影响电容器容量大小的重要因素。
F、μF、pF
法拉、微法、皮法，电容器电容量单位，1F=1,000,000μF，1μF=1,000,000pF
电介质
电介质是能够产生极化现象的物质，主要包括陶瓷、云母、玻璃、塑料和各种金属氧化物等。电介质的电阻率很高，一般超过 10 欧/厘米。
ESR
Equivalent Series Resistance，即等效串联电阻。理论上，一个完美的电容自身不会产生任何能 量损失，但实际上由于制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗，各种因素导致电容变得不"完美"。这个损耗在外部表现为就像一个电阻跟电容串联在一起，因此被称为"等效串联电阻"。ESR 越小，损耗越小，输出电流越高，电容的品质也越高。
ESL
Equivalent Series Inductance，即等效串联电感。电容器内的有效感抗，等效干理想电容器的串联电感值。理论上一个完美的电容器，自身不会产生任何能量损失，但是实际上，因为电容器有电感，电容器的绝缘介质有损耗，各种原因导致电容器变得不"完美"。这个损耗在外部，表现为就像一个电感跟电容器串联在一起，所以称为"等效串联电感"。
晶相
陶瓷显微结构中由晶体构成的部分。在陶瓷显微结构中可以是由一种晶体(单相)或不同类型的晶体(多相)组成。其中含量多者称为主晶相，含量少的称次级晶相或第二晶相。
体积电阻率
介电材料每单位立方体积的电阻，体积电阻率越高，材料用作电绝缘部件的效能就越高。
介电常数
又称电容率或相对电容率，用于衡量绝缘体储存电能的相对能力。指两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间真空时的电容量之比，常用ε 表示。电容器中所用电介质材料的介电常数越大，电容器的电容量越大。
介质损耗
电介质中在交变电场作用下转换成热能的那部分能量，这些热量会使电介质升温并可能引起热击穿。因此介质损耗越小，电介质的性能越好。
Q值
品质因数。容器或电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比，表示一个储能器件（如电感线圈、电容等）、谐振电路所储能量同每个周期损耗能量之比的一种质量指标。元件的 Q 值越高，损耗越小、效率和稳定度越高，因此可更加准确 地发挥作用电
耐电压
表征电容器耐电压能力
极化
电介质陶瓷中的分子正负电荷彼此强烈地束缚，在弱电场的作用下，虽然正电荷沿电场方向移动，负电荷逆电场方向移动，但它们并不能挣脱彼此的束缚而形成电流，具有绝缘性。由于电介质陶瓷中电荷的移动，造成了正负电荷中心不重合，在电介质陶瓷内部形成偶极距，产生了极化。
分层
多层陶瓷电容器内部介质层之间出现裂缝的一种现象
0805
多层陶瓷电容器的外形尺寸代码，"08"表示长度，"05"表示宽度，单位1/10英寸。实际的尺寸为2.0mm×1.25mm
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