日本协和化学开发5G低介电中空二氧化硅

日本协和化学工业公司开发了可应用于电子材料用途的中空二氧化硅，具有几微米的均匀粒径和低介电性能，据说具有这种性能的空心二氧化硅是世界上唯一的，可望适用于日趋普及化的5G通讯系统或与6G相关的电子材料用途。

目前树脂业者积极推动低介电化材料研究，但是仅使用树脂有其极限，因此欲透过活用空气本身低介电特性的中空形状的填料，以改善相关问题。由于积层基板的多层化需求，一层厚度薄化至25～100 μm，因此为了配合需求，填料大小也被要求在0.5～5 μm。然而大多数的中空二氧化硅，其粒径为数百纳米，大多是低介电效果较小的尺寸，或是超过10 μm而不适用的大型尺寸，缺乏合适的大小。

协和化学工业的中空二氧化硅应用了无机粒子合成技术，系于进行菱水镁铝石(Hydrotalcite)的研发过程中开发而成，为非晶硅组成结构，呈现椭圆状，粒径均一，约为1～1.9 μm，中空率则可控制在50～60%。

中空二氧化硅的内部为空洞状，有助于轻量化、赋予断热性等，因此在涂料用添加剂、树脂制品的填料等用途已趋于普及。而协和化学工业的中空二氧化硅的介电常数约为1.6～1.7，介电损耗为0.001，可望取代5G用电子基板的覆铜板所使用的熔融二氧化硅填料。

来源:日本经济新闻、材料世界网