据三星官方消息,2022年6月30日,作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子宣布其基于3nm全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称 GAA)制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。

 

三星半导体 3nm GAA 架构制程技术芯片开始生产

 

据介绍,3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片,与采用窄通道纳米线的GAA技术相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技术上,三星能够调整纳米晶体管的通道宽度,优化功耗和性能,从而能够满足客户的多元需求。
此外,GAA的设计灵活性对设计技术协同优化(DTCO)非常有利,有助于实现更好的PPA优势。与三星5nm工艺相比,第一代3nm工艺可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面积减少16%;而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面积减少 35%。
三星半导体 3nm GAA 架构制程技术芯片开始生产

三星电子首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管”(简称: MBCFET™ Multi-Bridge-Channel FET)应用打破了FinFET技术的性能限制,通过降低工作电压水平来提高能耗比,同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。三星首先将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片,并计划将其扩大至移动处理器领域。

三星电子Foundry业务部总经理崔时荣表示‍:“一直以来,三星电子不断将新一代工艺技术应用于生产制造中。例如:三星的第一个High-K Metal Gate (HKMG) 工艺、FinFET 以及 EUV等。三星希望通过率先采用3nm工艺的‘多桥-通道场效应晶体管’( MBCFET™),将继续保持半导体行业前沿地位。同时,三星将继续在竞争性技术开发方面积极创新,并建立有助于加速实现技术成熟的流程。”‍

 

来源: 三星半导体和显示官方

 

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):三星半导体 3nm GAA 架构制程技术芯片开始生产

作者 li, meiyong

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