为了提升半导体的性能，半导体上游材料经历了几轮的演变。第一代半导体材料高纯硅是目前最为广泛使用的，超过90%的半导体是用硅材料制作的。
90年代开始，随着半导体产业的发展，第二代化合物半导体材料的代表砷化镓和磷化铟开始走上舞台，其器件相对硅器件具有高频、高速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域。
近年来以碳化硅和氮化镓为代表的第三代化合物半导体材料，在禁带宽度、击穿电场强度、 饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。随着众多公司在碳化硅领域的布局以及电动汽车厂商对SiC接受度的增加，二级市场对碳化硅的关注越来越高。
当前整个碳化硅功率器件的市场规模在10亿美元左右，还没有迎来渗透率的拐点。根据Yole的预测，到2026年整个碳化硅功率器件的市场规模有望达到50亿美元，市场空间巨大，其中60%以上用于新能源汽车领域。
而汽车市场作为潜力巨大的应用领域，也正迎来发展机遇。
行业调研机构DIGITIMES Research预估，2025年碳化硅在电动车应用的市场规模可至6.5亿美元，未来5年年增率将介于25％至30％。
电动车市场成长带动关键功率半导体元件和模组需求，展望电动车SiC功率元件产业趋势，DIGITIMES Research指出，SiC具高耐压、对应车内严苛环境操作、降低系统成本等优势，在电动车应用越来越受重视。其中碳化矽在电动车主要零配件包括逆变器及车载充电器应用，成长最显著。
展望SiC应用价格趋势，DIGITIMESResearch预估到2023年，SiC逆变器与矽基产品价差可降低至200美元，以同样计算方式，除了中高阶车款及高阶车款总成本降幅分别可到231美元及416美元之外，中阶车款成本降幅也达100美元以上；DIGITIMES Research分析，当2.5倍价差时，车厂就有较高意愿将SiC元件导入中阶车款。
产业人士指出，第三代半导体材料以SiC及氮化镓（GaN）为材料主流，相较传统第一、二代材料如矽（Si）、砷化镓（GaAs）等，第三代半导体具备尺寸小、效率高、散热迅速等特性。适合应用在5G基地台、加速快充以及电动车充电桩等应用。
产业人士表示，SiC模组目前主要是电动车大厂特斯拉（Tesla）带动采用，导入逆变器和车载充电器应用，其他电动车厂采用SiC模组时间，最快也要到2023年。
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