2027年8月深圳国际会展中心
前言
Introduction
随着电子系统功率密度持续攀升，封装材料正面临热管理、气密性与可靠性三重约束。以 800G/1.6T 光模块为例，单模块功耗已超过 45W，而光芯片结温须控制在 60℃以内——传统有机与金属材料体系已接近性能边界。由此，高温共烧陶瓷（High-Temperature Co-Fired Ceramic，HTCC）成为高可靠封装的关键材料。
01
HTCC材料介绍
HTCC 以氧化铝或氮化铝陶瓷为基材，采用钨、钼、钼锰等难熔金属浆料完成多层布线印刷，经流延、冲孔、叠层、层压后，在 1600℃以上还原性气氛中一次共烧成型，实现陶瓷与导体的高度一体化。氮化铝基 HTCC 导热率达 170~200 W/(m·K)，热膨胀系数（4.5~5.0 ppm/℃）与硅芯片良好匹配，配合金属化封接可实现真空气密封装，满足 20 年级设计寿命要求。
新兴应用场景
01
光通信与共封装光学（CPO）
多层陶瓷管壳支撑 2.5G~800Gbps 信号传输；CPO 对基板提出高频、高密度布线、高散热、高气密、高刚性五维要求，与氮化铝多层共烧工艺能力高度吻合。
02
功率半导体
SiC/GaN 宽禁带器件工作温度更高，AlN-HTCC 为功率模块提供散热通道与气密防护。
03
汽车电子
激光雷达收发模块、车载功率模块需满足 AEC-Q200 可靠性规范，陶瓷封装抗振动、耐温宽（-55℃~+200℃）。
04
先进封装
陶瓷 Core 与有机积层复合的混合基板架构，为大面积基板的翘曲控制提供工程路径。
02 富乐华技术平台
富乐华功率半导体研究院已建成氮化铝多层共烧产品平台，ALN系列产品热导率≥170 W/(m·K)、抗弯强度≥350MPa、表面粗糙度≤0.05μm，应用于微波、光通信及无线通信领域，并持续开发超高导热复合材料、50μm 级精细线路、20 层以上高密度布线及大尺寸批量制备技术。 从高温烧结工艺到 AI 数据中心散热体系，HTCC 正在承载更关键的系统级功能。我们欢迎与产业链伙伴开展技术交流，共同推进高可靠陶瓷封装方案的设计与验证。
采集来源：艾邦陶瓷展
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