随着 1.6T/3.2T 超高速光模块技术加速演进，高频、高温、高稳定、小型化与更高容值密度已成为核心刚需。面对 110GHz 超高频段信号传输、严苛高温工况、高密度集成布局等行业痛点，朗矽科技Launchip 重磅推出业内首款 01005 尺寸、22nF、耐压 11V 的 3D 深槽结构硅电容器。其容值密度较上一代提升一倍，容值从 10nF 跃升至 22nF，专为下一代 1.6T/3.2T 超高速光模块打造，以突破性性能破解高速光通信元器件选型难题。作为业内首款 01005 22nF 硅电容，该产品代表全球该领域最领先的技术水平。
业内首款 01005 11v 22nF：极致高频与双倍容值密度。
1.6T/3.2T 超高速光模块面向更高带宽、更高集成度的信号传输，普通电容在超高频率下易出现插损飙升、信号衰减、阻抗波动等问题，直接影响模块传输速率与稳定性。
本次新品采用独家 3D 深槽硅电容结构，率先在 01005 超小尺寸内实现 22nF 容值，成为业内首款 01005 22nF 硅电容，容值密度较 10nF 产品提升一倍；22nF 相比 10nF 显著下探低频截止频率，大幅拓宽有效工作频段，可匹配 1.6T/3.2T 光模块高速信号链路，保障高频信号稳定传输，为超大带宽数据交互筑牢硬件基础。
🔥 超强高温稳定性
可耐受最高 150℃工作温度，适配光模块长时间高负载发热工况；
⚡ 超低漏电精准可靠
漏电流＜1nA@RVDC，容量电压系数＜0.1%/V，容值几乎不受偏置电压、温度漂移影响，杜绝高速链路中电压波动导致的性能异常；
🔋 零老化容值损耗
长期使用下因老化产生的容值衰减可忽略不计，保障1.6T/3.2T 光模块长期稳定运行；
业内首款 01005 22nF：标准厚度仅 100μm，率先在 01005 超小封装内实现 22nF 容值，较 10nF 产品容值密度提升一倍，适配 1.6T/3.2T 光模块高密度 PCB 布局，大幅节省内部空间，助力模块小型化、轻量化升级。
精准场景落地，赋能下一代光通信技术革新
当前，1.6T 超高速光模块正加速落地，3.2T 光模块也成为面向下一代算力基础设施的重要升级方向，广泛服务于 AI 算力中心、高速数据中心、骨干网传输等场景，对配套元器件的高频特性、尺寸、容值密度与可靠性提出更严苛要求。
朗矽科技Launchip 这款业内首款 01005/22nF/11V 硅电容，凭借容值密度较 10nF 产品提升一倍、110GHz 超宽频稳定、耐高温、小型化、低损耗等核心优势，可用于 1.6T/3.2T 光模块电源滤波、信号耦合、高频旁路等关键电路，解决高速场景下电容选型难、性能不达标等痛点，助力客户推进 1.6T/3.2T 光模块产品研发与量产落地。凭借业内首创的 01005 尺寸与 22nF 高容值组合，本产品定位为全球该领域最领先的产品。
从 1.6T 迈向 3.2T，并进一步向 6.4T 演进，光通信产业正在开启新一轮技术跃迁。朗矽科技Launchip 持续深耕硅基无源器件研发，以 3D 深槽核心技术打造高频、高容值密度、高可靠性的电容产品，精准匹配下一代高速光通信场景需求。
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