当AI算力狂奔，将数据传输速率推向800G乃至1.6T的巅峰，信号频率也随之飙升至毫米波的无人区。在这片高频疆域，传统器件的性能堡垒已然崩塌，信号完整性（SI）成为悬在每一位高速光模块、AI芯片及先进封装设计师头顶的达摩克利斯之剑——不是瓶颈，就是屏障。

今日，凌存科技（INSTON）挥剑斩枷锁，正式发布UB（Ultra-Broadband）系列硅电容。它以-0.5dB带宽直达110GHz的颠覆性性能，不仅宣告国产高端被动器件率先撞线毫米波时代，更意味着，下一代高速互连系统追求极致效能的那把“终极钥匙”，已被我们握在手中。

01 频率跨越：高速互连的“隐形关口”

在800G及以上速率的光模块、以及追求112G/224G PAM4 SerDes的AI芯片与交换机中，信号通道已全面进入毫米波频段。此时，链路中承担耦合、隔直任务的电容，其性能边界直接决定了整个系统的性能上限。

传统瓶颈：

多层陶瓷电容（MLCC）受限于其陶瓷烧结工艺与多层堆叠结构，在高GHz频段寄生电感（ESL）效应显著，极易引发谐振，导致阻抗剧烈波动、插入损耗激增，成为限制信号通道带宽与质量的短板。

行业急需：

产业界急需一种能够在极端带宽下仍保持低插损、低反射、高一致性的电容解决方案。这一需求，在我们所服务的众多探索前沿的AI芯片与光模块头部企业中，已形成强烈共识。

02 凌存UB系列：剑指110GHz，定义宽带新基准

凌存UB系列基于先进的12寸CMOS工艺打造，从材料源头为毫米波性能奠基，系统性地解决了传统方案的高频瓶颈。

核心性能亮剑：

超宽带性能：支持从数十KHz低频至110GHz毫米波频段的稳定传输，完全覆盖800G/1.6T光模块及未来高速接口的带宽需求。

低插损表现：在典型高速链路条件下，提供优异的信号通过能力，最大限度降低能量损耗。极低寄生参数：通过三维结构优化，实现20–30pH级的极低ESL，从根源上提升高频性能与电源完整性。

卓越的温度稳定性：硅基材料特性带来更优的热稳定性与机械一致性，适应高功率密度与苛刻的工作环境。

图示：传统方案在毫米波频段面临的性能挑战。凌存UB系列的设计目标，正是为了在此类高频段依然保持优异的低插损与低反射特性，彻底解决性能瓶颈。

03 智造优势：半导体工艺铸就“艺术级”一致性

与村田等国际巨头同台竞技，凌存的底气源自完整的半导体级制造能力与极致的产品追求。

极致一致性：不同于传统陶瓷电容的批次波动，UB系列通过半导体光刻与沉积工艺精密控制，参数离散度极低，可大幅简化客户在量产时的调试与校准流程。

0201M微型封装：最小封装尺寸仅为0201M。极致小型化不仅节省PCB宝贵面积，更缩短信号路径，从物理层面抑制寄生效应，尤其适合硅光、CPO（共封装光学） 及先进封装等对空间极度敏感的场景。

阵列化集成支持：可提供高密度电容阵列布局，满足高速接口对分布式去耦与隔直的严苛要求，并通过对称设计进一步优化电源完整性与信号质量。

图示：基于12寸CMOS工艺，凌存UB系列硅电容在晶圆级制造中实现了如艺术品般的精密结构与极致一致性。

04 市场纵深：从“国产替代”到“全球竞对”

目前，UB系列已在国内多家光模块龙头、AI芯片领军企业及高端PCB制造商处完成验证，并进入量产导入阶段，赋能从“国产替代”到“国际竞对”的跨越。

赋能核心赛道：

高速光互联与数据中心：为800G/1.6T光模块及AI服务器提供超宽带、低损耗的隔直与耦合方案，助力客户攻克信号完整性难题。

高端PCB与先进封装：助力客户破解112G+背板、载板及埋入式封装中的信号与电源完整性瓶颈。

算力芯片与电源：为多家算力企业的多相电源、大电流VRM提供高频、低阻抗的去耦保障，确保CPU/GPU/ASIC等算力核心供电纯净稳定。

05 即刻行动：迈向110GHz无缝互联

凌存科技UB系列硅电容已备妥样品、全套仿真模型与系统级应用支持，助力您的项目抢占技术制高点。

获取详细资料：欢迎联系我们，获取UB系列完整技术白皮书。

申请样品与支持：我们的专家团队可提供定制化系统分析。请通过官网及公众号的联系方式提交需求。

预约技术研讨：针对CPO、硅光、先进封装等特定场景，我们可安排专项技术交流会。

结语

110GHz超宽带硅电容的量产，是凌存科技在高端被动器件领域树立的一座新里程碑。面对未来更高速率、更高集成度的系统需求，凌存将持续创新，与产业链伙伴携手，共同推动光通信与高速计算平台的边界。

长按识别二维码关注公众号，点击下方菜单栏左侧“微信群”，申请加入交流群。